Быстродействие - логический элемент
Cтраница 1
Быстродействие логических элементов является одйим из важнейших параметров логических элементов, оно оценивается фщержкой распространения сигнала от входа к выходу элемента. [1]
Быстродействие логического элемента определяется скоростями его перехода из состояния О в состояние 1 и обратно. Прежде чем описывать характеристики быстродействия элементов, выясним вопрос о форме сигналов, передаваемых от ячейки к ячейке. Поскольку каждый логический элемент обладает как инерционностью, так и усилительными свойствами, то крутизна фронтов в цецочке логических ячеек стремится к определенной асимптотической величине. Уменьшение крутизны от каскада к каскаду предотвращается ростом усилительных свойств ячеек по мере снижения частоты, а нарастание крутизны фронтов ограничивается инерционными свойствами каскадов. Поэтому крутизна фронтов быстро устанавливается в довольно узкой области значений, характерной для элементов данного типа. [2]
 |
Характеристика импуль-сной помехоустойчивости логического элемента.| Задержка прохождения сигнала через логический элемент. [3] |
Быстродействие логического элемента - наибольшая частота управляющих импульсов, при которой элемент выполняет свои логические функции. Быстродействие характеризуется максимальной рабочей частотой или, что более правильно, средней задержкой прохождения сигнала через элемент. [4]
Быстродействие логических элементов зависит в первую очередь от режима работы входящих в них транзисторов. [5]
Предел быстродействия логического элемента определяется временем перехода триода из закрытого состояния в открытое и наоборот. [6]
От них зависит быстродействие логического элемента. Другим важнейшим параметром, определяющим быстродействие, являются время задержки распространения сигнала при включении ИР и выключении t логического элемента. [7]
От них зависит быстродействие логического элемента. Другим важнейшим параметром, определяющим быстродействие, являются время задержки распространения сигнала при включении t f и выключении логического элемента. [8]
Это позволяет существенно повысить быстродействие логических элементов. [9]
 |
Области перемагничивания тонкой пленки. [10] |
Следовательно, для повышения быстродействия запоминающих и логических элементов на тонких пленках необходим такой режим работы, при котором отсутствовали бы процессы смещения границ доменов. Поэтому одной из задач технологии изготовления магнитных пленок является создание таких условий, при которых процессы доменообразования были бы затруднены и перемагничивание происходило бы только за счет вращения вектора намагниченности. [11]
 |
Области перемагничивания тонкой пленки. [12] |
Следовательно, для повышения быстродействия запоминающих и логических элементов на тонких пленках необходим такой режим работы, при котором отсутствовали бы процессы смещения границ доменов. Поэтому одной из задач технологии изготовления магнитных пленок является создание таких условий, при которых процессы доменообразоваиия были бы затруднены и перемагничивание происходило бы только за счет вращения вектора намагниченности. [13]
 |
Зависимость времени переключения от потребляемой мощности стандартного логического элемента. [14] |
Одним лз факторов, ограничивающих быстродействие логических элементов микросхем, является наличие емкости р-п-лерехо-да. В целях уменьшения этой емкости, а также повышения интеграции - микросхем уменьшают линейные размеры элементов микросхемы. Полученные в настоящее время линейные размеры элементов микросхем составляют 2 5 - 5 мкм и близки к пределу разрешения, получаемого оптическими методами. [15]
Страницы: 1 2 3