Быстродействие - логический элемент
Cтраница 2
Указание: рассмотрите, как влияет эмиттерный повторитель ва быстродействие логического элемента. [16]
 |
Ненасыщенная схема ДТЛН. Дио а Д ( Л. 1 Мг 1 ДЛЯ увеличения. [17] |
Использование ненасыщенных ключевых каскадов ( см. § 14.5) позволяет существенно увеличить быстродействие логических элементов. Порядок расчета схем с ненасыщенными ключами в принципе не отличается от расчета насыщенных схем, только при определении величины запирающего тока следует иметь в виду, что время рассасывания равно нулю. [18]
На временных диаграммах отражена задержка срабатывания триггера, величина которой зависит от быстродействия логических элементов. [19]
 |
Схема логического элемента 2И - НЕ ( а. представление транзистора VTI в виде трех диодов ( б. [20] |
Однако такой способ подачи постоянной логической 1 приводит к снижению помехоустойчивости и быстродействия логического элемента, и его на практике следует по возможности избегать. [21]
И - НЕ ограничена, и фронт выходного сигнала в конечном итоге определяется быстродействием логических элементов. Таким образом, при больших значениях п фронт выходного импульса характеризуется быстродействием используемых каскадов и мало зависит от длительности фронта входного сигнала. [22]
 |
Упрощенная ( э и стандартная ( б электрические схемы двухвходового логического элемента ИЛИ-НЕ типа И2Л. [23] |
Сходными у логических элементов ТТЛ и И2 Л являются работа транзисторов в режиме насыщения и ограниченное в связи с этим быстродействие. Быстродействие логических элементов И2Л повышают так же, как логических элементов ТТЛ, применяя диоды Шоттки. [24]
 |
Варианты режимов включения дифференциальной пары в ДСПТ. [25] |
При исследовании быстродействия логических элементов ЭВМ, расчетах задержек сигналов в линиях связи необходима оценка входной емкости логических элементов. [26]
 |
Расчетные схемы элемента ДТЛ-типа для. [27] |
Точная оценка быстродействия логических элементов любого типа возможна путем математического моделирования переходных процессов в таких схемах с использованием современных методов анализа электронных схем. Однако приближенные оценки быстродействия логических элементов могут быть получены путем простых рассуждений и дают хорошие инженерные результаты, одним из которых является возможность прочувствовать физические процессы в анализируемой схеме. [28]
Для нормального функционирования элемента необходимо, чтобы переходные процессы, вызванные предыдущим перепадом, закончились к моменту начала воздействия следующего перепада. Поэтому для оценки быстродействия логических элементов обычно пользуются величиной задержки перепада при прохождении его через элемент. Эта задержка определяется наличием некоторого порога срабатывания элемента, инерционностью полупроводниковых приборов и влиянием паразитных емкостей. [29]
Интересно отметить, что время перемагничивания одного и того же образца уменьшается в несколько раз при действии постоянного магнитного поля, направленного, как на рис. 12.8. Это объясняется тем, что при наличии постоянного поля процессы вращения намагниченности преобладают над процессами смещения границ доменов. Следовательно, для повышения быстродействия запоминающих и логических элементов на тонких пленках необходимо изыскать режимы работ, при которых отсутствовали бы процессы смещения границ доменов. Поэтому одной из задач технологии изготовления магнитных пленок является получение таких условий, при которых процессы доменообразования были бы как можно более затруднены и перемагничивание происходило бы только за счет вращения намагниченности. Можно также рекомендовать режим работы, при котором запись производится полем, направленным вдоль оси легкого намагничу вания, а считывание - полем, прикладываемым вдоль оси тяжелого намагничивания. [30]
Страницы: 1 2 3