Быстродействие - логический элемент
Cтраница 3
 |
Зависимость числа сигналь - МИКроЭВМ, ТО В качестве МИ.| Тенденции изменения некоторых характеристик полупроводниковых ИС. [31] |
Соотношение сторон печатной платы зависит от допустимой задержки распространения сигнала в линии связи, числа контактов внешних связей, механической прочности и жесткости платы, допустимого коробления платы. Быстродействие логических узлов зависит не только от быстродействия логических элементов, но и от задержки сигналов в линиях связи. Считается, что задержка сигнала в линии связи должна быть примерно равна скорости срабатывания ( длительности фронта) элемента. Это выдерживается, например, для платы с размерами сторон 170x75 мм, где наибольшая длина линии связи составляет 170 75 245 мм. Контакты для внешних связей располагаются на плате с шагом 2 5 или 1 25 мм, иногда допускается шаг 0 625 мм. [32]
В зависимости от амплитуды пилообразного напряжения крутизна ШИМ, выполненного по схеме на рис. 6.12 в, составляет 0 5 - 2 ед. В, а предельная величина 6miul - вшах0 005 - 0 002 и ограничена главным образом быстродействием логических элементов, составляющих триггер Шмита. [33]
К числу наиболее важных параметров, характеризующих эффективность логических схем, следует отнести следующие: коэффициент разветвления по выходу Л - характеризует максимальное число последующих логических элементов, подключение которых к выходу данного элемента не вызывает изменений параметров выходного сигнала сверх значений, указанных в ТУ; коэффициент объединения по входу М - определяет максимальное число входных сигналов элемента; время включения и время выключения характеризуют быстродействие логического элемента; мощность, потребляемая от источника питания; помехоустойчивость. [34]
Точная оценка быстродействия логических элементов любого типа возможна путем математического моделирования переходных процессов в таких схемах с использованием современных методов анализа электронных схем. Однако приближенные оценки быстродействия логических элементов могут быть получены путем простых рассуждений и дают хорошие инженерные результаты, одним из которых является возможность прочувствовать физические процессы в анализируемой схеме. [35]
В 1982 г. в серийных СБИС достигнут минимальный размер транзистора 2 мкм и начат переход к технологиям, обеспечивающим размер транзистора в 1 мкм. Экспериментальные исследования, выполненные в 1981 г., подтвердили возможность создания работоспособных сверхбыстродействующих МОП-транзисторов с длиной канала 0 25 мкм. Наиболее перспективной технологией БИС и СБИС в 80 - е годы, по-видимому, останется КМОП-технология, позволяющая получать приборы с минимальным потреблением энергии. Значительное повышение быстродействия логических элементов возможно благодаря разработке и освоению в производстве транзисторов на основе арсе-нид-галлиевых структур. В 1982 г. экспериментально исследованы транзисторы такого типа с временем переключения 20 - 30 пс. [36]
Страницы: 1 2 3