Потенциал - слой
Cтраница 1
Потенциал антенного слоя ( или антенный потенциал) строится следующим образом. [1]
Понижение потенциала слоя п приводит к тому, что из слоя р в слой п инжектируется больше дырок. Этот процесс продолжается до тех пор, пока прибор не откроется. [2]
 |
Зависимость количества прилипшего порошка проявителя от потенциала скрытого ( носитель - бисерный марки СНП-15. [3] |
При потенциале слоя, равном нулю, количество прилипшего к слою порошка - проявителя отлично от нуля. [4]
При потенциале слоя, равном нулю, количество прилипшего к слою порошка-проявителя отлично от нуля. Поэтому пренебрегать молекулярной компонентой сил адгезии при оценке процессов проявления изображений было бы не совсем правильно. [5]
Положительный же потенциал слоя такой толщины равен 2800 в. [6]
Перемещенные электроны понижают потенциал слоя п по отношению к слою р, что вызывает инжекцию дырок из эмиттерного слоя р через переход Л в базу п для того, чтобы восстановить там электрическую нейтральность. Таким же образом перемещенные дырки повышают потенциал области р2 по отношению к области 2, вызывая инжекцию электронов внутрь слоя п2 переходом УЗ. Как уже отмечалось при рассмотрении понятия о времени выключения, этот избыточный заряд должен ре-комбинировать или накопляться, если эффективности эмиттеров Л и / 3 равны единице. [7]
 |
Изменение напряжения между анодом и катодом тиристора в эффекте du / dt.| Перемещение носителей заряда в структуре тиристора ( эффект du / dt. [8] |
Пе меЯщение алейронов понижает потенциал слоя, по отнош ниТк р что вызывает инжекцию дыре; из эмиттер-ного слоя р, через переход П1 в базу л, для восстанов лГия элек нейтрал ьности. [9]
 |
Смещение р-п-р-п структуры в прямом направлении ( а и ее транзисторная модель ( б. [10] |
При этом разность между потенциалами слоя п2 в равновесном и неравновесном состояниях равна по абсолютному значению обратному напряжению Uя, приложенному к р-п-р-п структуре. [11]
Это и есть постоянное значение потенциала слоя внутри полости. [12]
Здесь второе слагаемое справа представляет собой потенциал слоя, образованного центрами возбуждения. Этот слой размещен по поверхности, ограничивающей рассматриваемую область, его плотность определяется производной по нормали от искомого потенциала скоростей. [13]
С увеличением концентрации ионов брома увеличивается потенциал двойного электростатического слоя на поверхности микрокристаллов, что затрудняет доступ реакционноспособных молекул к поверхностным ионам серебра и тормозит тем самым процесс центрообразования. [14]
Эта замена мотивируется тем, что потенциал слоя диполей ограниченной протяженности в диэлектрике, убывающий с расстоянием от этого слоя как телесный угол, под которым слой виден из данной точки, на бесконечном расстоянии от слоя обращается в нуль, в то время как в металле потенциал сохраняет постоянное значение. В результате разность потенциалов между двумя точками, находящимися соответственно в металле и диэлектрике на больших расстояниях от границы раздела, оказывается равной половине падения потенциала в пределах диполь-ного слоя 4nF j / D. [15]
Страницы: 1 2 3 4