Потенциал - слой
Cтраница 3
Однако в действительности дело обстоит сложнее. При учете поправки Штерна потенциал слоя Гун Ф6 делается зависимым от толщины прослойки между поверхностями. При малых значениях кН потенциал ч6 начинает существенно расти. [31]
Потенциальная диаграмма р-п перехода показана на рие ЗДг. За нулевой потенцшл условно принят потенциал слоя ха. При перемещении от х0 i сечению хп потенциал повышается, а при перемещении от х к хр - снижается. За пределами перехода поле отсутствует и ц ( х) const. Перепад потенциала в переходе равен контактной разности потенциалов UK. Этот перепад обычно называют потенциальным барьером, так как он препятствует перемещению основных носи елей заряда. [32]
В силу формул ( 54), в конечной области Vs, имеющей границей поверхность S, потенциал уроненного слоя постоянен. Следовательно, внутренняя нормальная производная ( § 8) потенциала уровенного слоя равна нулю. [33]
В силу формул ( 54), в конечной области Vs, имеющей границей поверхность S, потенциал уровенного слоя постоянен. Следовательно, внутренняя нормальная производная ( § 8) потенциала уровенного слоя равна нулю. А поэтому, в силу формул ( 38), внешние нормальные производные потенциалов слоев с плотностями рх и р2 соответственно равны 4ярх и 4яр2 и, следовательно, различны. [34]
Электрографический способ внедряется не только для изготовления1 текстовых оригиналов с штриховыми рисунками, но и для изготовления форм с тоновыми иллюстрациями. В этих целях к аппарату ЭРА разработаны два устройства: 1) регулятор режима зарядки селеновых пластин, изменяющий потенциал экранной сетки электризатора, и 2) устройство для измерения потенциала слоя перед экранированием. [35]
Поскольку речь идет о взаимодействии двух сферически-симметричных распределений заряда, нетрудно выполнить интегрирование по угловым переменным. Проводя интегрирование последовательно, например сначала по координатам электрона 1, можно использовать и то обстоятельство, что классический электростатический потенциал вне сферического заряженного слоя равен потенциалу, который возникал бы от полного заряда такого слоя, если бы он был помещен в начале отсчета, а также то, что потенциал внутри сферического заряженного слоя и на его поверхности одинаков. [36]
 |
Зависимость Л In TS от ill для эмульсии типа А и желатины КЖЗ. [37] |
Переходя к вопросу о скорости второго созревания, следует заметить, что, как и большинство процессов, протекающих на поверхности раздела двух фаз, второе созревание распадается на две стадии: 1) адсорбцию и 2) распад образовавшихся адсорбционных комплексов. Нужно думать, что тормозящее действие ионов брома обусловливается лишь их влиянием на первую стадию процесса. С увеличением их концентрации увеличивается потенциал двойного электростатического слоя эмульсионных микрокристаллов, что, естественно, затрудняет доступ молекул реакционноспособных компонентов желатины к находящимся на поверхности твердой фазы ионам серебра. [38]
 |
Идеальная полярограмма. [39] |
Потенциалы выделения простых катионов изменяются примерно в соответствии с их положением в электрохимическом ряду. Для того чтобы это совпадение было полным, нужно все измерения проводить с одним электродом сравнения, например с насыщенным каломельным. При наличии некоторых металлов, однако, для установления потенциала слоя ртути недопустимо применение хлорида калия в качестве фона. Этот реактив не может, например, использоваться при исследовании ионов, образующих нерастворимые хлориды. [40]
 |
Зависимость плотности анодного тока от времени при постоянных значениях потенциала. [41] |
Согласно термодинамическим расчетам, анодное окисление молибдена до МоО - ( реакция 8, табл. 1) возможно при ф 0 11 в. Однако на анодных кривых ( рис. 3 и 4) при этом потенциале увеличения плотности тока не наблюдается. Это свидетельствует, по-видимому, о наличии на поверхности молибдена вблизи этого потенциала слоя защитных окислов, которые и определяют анодное поведение молибдена. [42]
Предварительно Гюнтер вывел формулу, дающую поле скоростей по заданному полю вихрей в случае жидкости, заключенной в замкнутом сосуде. Для безграничного нрос гране гва такая формула была дана Гельм-гольцем. В случае замкнутого сосуда задача получения такой формулы становится гораздо более сложной и требует решении задачи Неймака и преобразования некоторого потенциала простого слоя в потенциал двойього слоя, причем в окончательные формулы входят, между прочим, производные этого потенциала двойного слоя. Основой метода последовательных приближений здесь являются соотношения Коши, которые выражают составляющие пихря через их начальные значения и через производные or декартовых координат жидкой частицы по лагранжевым переменным. В качестве первого приближения для поля скоростей берется градиент гармонической функции, решающей задачу Неймана, соответствующую предельным условиям на границе сосуда. По этому полю скоростей строятся мгновенные линии тока, и упомянутые соотношения Коши дают первое приближение для поля вихрей. [43]
Остаток после выпаривания смачивают соляной кислотой и после растворения в дистиллированной воде его количественно переводят в мерную колбу емкостью 50 мл. Пробу в колбе, если это нужно, нейтрализуют раствором аммиака по метиловому оранжевому, добавляют 10 мл фона, 1 мл раствора желатина и 1 мл раствора сульфита натрия. Затем колбу доливают дистиллированной водой до метки и содержимое колбы хорошо перемешивают. Часть раствора переливают в полярографическую ячейку и регистрируют кривую при подходящей чувствительности в интервале от - 0 9 до - 1 4 в по отношению к потенциалу ртутного слоя. Содержание никеля находят по калибровочной кривой. [44]
Первые предположения об образовании двойного электрического слоя были сделаны Квинке. Строение двойного электрического слоя впервые было представлено Гельмгольцем и Пер-реном по аналогии со строением плоского конденсатора. Согласно их представлениям, на границе соприкасающихся фаз заряды располагаются в виде двух рядов разноименных ионов: ряд потенциалопределяющих ионов на - расстоянии, равном их радиусу в несольватированном состоянии, и прилегающий к нему ряд противоионов. Толщина электрического слоя близка к молекулярным размерам или размерам сольватированныч ионов. Потенциал слоя снижается в пределах его толщины линейно до нуля. [45]
Страницы: 1 2 3 4