Потенциал - эмиттер - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Легче изменить постановку задачи так, чтобы она совпадала с программой, чем наоборот. Законы Мерфи (еще...)

Потенциал - эмиттер

Cтраница 3


31 Схема импульсного управления направлением и частотой вращения двигателя.| Формы сигналов на транзисторе Т4 схемы 123. [31]

Если в какой-либо момент потенциал эмиттера более положительный, чем потенциал базы, транзистор 2N2926 находится в закрытом состоянии.  [32]

При UK9Q коллектор имеет потенциал эмиттера и, следовательно, положительный потенциал относительно базы.  [33]

По мере разряда конденсатора С потенциал эмиттера становится более положительным, благодаря чему через транзистор начинает протекать ток. Проходя по подключенной к коллектору обмотке, этот ток наводит в обмотке, соединенной с базой, напряжение, делающее эту базу более отрицательной.  [34]

При этом на фронте импульса потенциал эмиттера остается практически неизменным - все напряжение, действующее на входе каскада, оказывается приложенным между базой и эмиттером и коллекторный ток резко изменяется. К началу действия на входе плоской вершины импульса конденсатор С 3 оказывается практически уже полностью заряженным и напряжение между базой и эмиттером получается меньше, чем было бы в отсутствие обратной связи.  [35]

После прекращения действия входного импульса потенциал эмиттера - за счет заряженной емкости Ся - может оказаться более отрицательным, чем база, и транзистор запрется. В этом случае разряд емкости будет происходить через Rs Rvux и длительность заднего фронта выходного импульса будет значительно больше, чем переднего.  [36]

37 Параллельно-балансный усилитель по схеме ОЭ.| Усилитель постоянного тока с температурной компенсацией. [37]

При подаче напряжения f / BX потенциалы эмиттеров становятся различными, и через сопротивление Rc течет ток. Можно показать, что сопротивление между эмиттерами при этом определяется величиной - Rc - Поэтому сопротивление Rf будет определять глубину отрицательной обратной связи и коэффициент усиления при подаче напряжения t / BX. Так как это сопротивление мало, то коэффициенты усиления К и Ki снизятся незначительно.  [38]

Например, при увеличении тока коллектора потенциал эмиттера понижается, что вызывает уменьшение тока коллектора. В схемах на рис. 12 имеет место отрицательная обратная связь цепей коллектора и базы по постоянному току, что и обеспечивает стабильность рабочей точки. Подгонку режимов следует начинать с более мощных каскадов, например, в приемнике - с оконечного каскада. Для этого обычно используют цепи, с помощью которых изменяется смещение на базе.  [39]

40 Схемы формирования плоской вершины сигнала. [40]

Когда напряжение входного сигнала, задающее потенциал эмиттера ключевого триода Т2, и напряжение на конденсаторе С2, определяющее потенциал его базы, сравняются, триод Т 2 отпирается и конденсатор GI начинает разряжаться; в дальнейшем выходной импульс по форме совпадает со входным. Длительность плоской вершины зависит от постоянной времени заряда конденсатора С2 и времени спада входного импульса. Обычно эти постоянные времени выбирают одинаковыми и напряжение на конденсаторе С2 сохранится до тех пор, пока амплитуда входного сигнала не спадет наполовину. Аналогичные схемы могут быть выполнены также и с разрядом конденсатора через ключ, включенный после линии задержки или после какого-либо ждущего релаксатора.  [41]

Так как потенциал анода значительно выше потенциала эмиттера, то все вторичные электроны попадут в цепь анода.  [42]

На базу транзистора VT2 выходного устройства подается потенциал эмиттера VT1, Превышающий потенциал эмиттера VT2; транзистор VT2 закрыт, и выходное реле К обесточено. При появлении сигнала от измерительного органа транзистор VT1 закрывается. Затем транзистор VT2 открывается, напряжение на резисторе R4 увеличивается, при этом конденсатор С2 продолжает заряжаться. Время задержки, определяемое постоянной времени контура R3 - С2, составляет примерно 50 мс, что считается достаточным для правильного поведения устройства при переходных процессах и перемежающейся дуге. При открытии транзистора VT2 срабатывает выходное реле К, размыкающий контакт которого К.  [43]

Увеличение тока / к0 приведет к росту потенциала эмиттера и, соответственно, на базе транзистора, поскольку разность потенциалов эмиттер - база близка к нулю. Это приводит к уменьшению тока через резистор Ra и к возрастанию тока через резистор R Ток / б, равный разности этих токов, уменьшается.  [44]

45 Схема регулятора напряжения Латвэнерго. [45]



Страницы:      1    2    3    4    5