Cтраница 5
На базу транзистора VT2 выходного устройства подается потенциал эмиттера VT1, Превышающий потенциал эмиттера VT2; транзистор VT2 закрыт, и выходное реле К обесточено. При появлении сигнала от измерительного органа транзистор VT1 закрывается. Затем транзистор VT2 открывается, напряжение на резисторе R4 увеличивается, при этом конденсатор С2 продолжает заряжаться. Время задержки, определяемое постоянной времени контура R3 - С2, составляет примерно 50 мс, что считается достаточным для правильного поведения устройства при переходных процессах и перемежающейся дуге. При открытии транзистора VT2 срабатывает выходное реле К, размыкающий контакт которого К. [61]
Таким образом, изменяя величину потенциала базы Б по отношению к потенциалу эмиттера Э, можно регулировать величину тока по цепи эмиттер - коллектор от малого значения тока покоя до предельной величины тока насыщения. Транзистор работает как усилитель подобно тому, как работает электронная лампа с управляющей сеткой. Отсутствие нитей накала и меньшие размеры являются существенным преимуществом полупроводникового усилителя. [62]
Временные диаграммы работы схем. [63] |
Как видно из временных диаграмм ( рис. 6.8, в), потенциал эмиттера в ней повторяет изменения потенциала базы, благодаря чему схема называется эмиттерным повторителем или схемой с общим коллектором. [64]
При этом транзистор Т1 закрыт, так как потенциал его базы выше потенциала эмиттера. [65]
В открытом состоянии транзистора потенциал коллектора имее т значение, близкое к потенциалу эмиттера, и является сигналом 0 на выходе А схемы усилителя. [66]
Если напряжение на входе схемы равно нулю, а потенциал базы равен потенциалу эмиттера, то транзистор закрыт. [67]
Конденсатор в цепи положительной обратной связи Сос можно не включать, так как потенциалы эмиттеров по постоянному току обычно примерно одинаковы. [68]
Если, кроме того, учесть, что база транзистора 7 заземлена, то потенциал эмиттера 7 во время режима квазиравновесия можно принять постоянным и равным нулю. [69]
Схема контактно-транзисторного регулятора напряжения. [70] |
В результате переход эмиттер - база транзистора VT оказывается смещенным в обратном направлении - потенциал эмиттера ниже потенциала базы на напряжение диода. Обратное смещение перехода прерывает протекание тока в цепи базы транзистора и переводит его в закрытое состояние. [71]