Потенциал - эмиттер - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Торопить женщину - то же самое, что пытаться ускорить загрузку компьютера. Программа все равно должна выполнить все очевидно необходимые действия и еще многое такое, что всегда остается сокрытым от вашего понимания. Законы Мерфи (еще...)

Потенциал - эмиттер

Cтраница 4


При этом потенциалы их коллекторов практически равны потенциалам эмиттеров, поэтому триоды ТУ и ТУ заперты.  [46]

47 Усилитель мощности, а - схема электрическая принципиальная. б - условное графическое обозначение по ГОСТу. в - Зоем-трон - 220, 382 и 383. г - Элка-22. [47]

Падение напряжения на резисторе R6 создает отрицательный, потенциал эмиттера по отношению к базе и обеспечивает закрытое состояние транзистора Т1 и исходное состояние триггера.  [48]

Благодаря падению напряжения в диодах Д0 и Д потенциалы эмиттеров германиевых транзисторов Т2 и ТЗ становятся ниже потенциалов баз, что обеспечивает активное запирание. Кремниевый транзистор 77 в активном запирании не нуждается.  [49]

50 К объяснению влияния температуры на коллекторные характеристики транзистора.| Усилительный каскад с эмиттерной температурной стабилизацией. [50]

Это вызывает снижение потенциала базы по отношению к потенциалу эмиттера [ см. формулу (5.15) ], а следовательно, уменьшение токов / 8 и / к. Ясно, что уменьшение коллекторного тока за счет действия резистора Ra не может полностью скомпенсировать рост его за счет повышения температуры, но влияние температуры на ток / к при этом во много раз снижается.  [51]

52 Усилитель постоянного тока с. [52]

Когда потенциал базы транзистора 77 станет приблизительно равным потенциалу эмиттера, транзистор 77 начинает открываться и ток / К1 его коллектора возрастает.  [53]

54 Схема устройства для формирования разностной последовательности импульсов. [54]

Поэтому независимо от действия на триод Тъ положительных импульсов потенциал эмиттера Т5 измениться не может, так как он поддерживается эмиттерным повторителем Т4, равным примерно Е, и импульсы на выход схемы не проходят. Таким образом, в зависимости от состояния триггера сигналы со входа I либо проходят на выход схемы, либо задерживаются пропускающим устройством. Состояние запрета создается каждый раз, когда на вход II схемы поступает импульс вычитания, и, наоборот, импульс, поступивший на вход I, снимает запрет. Если на схему поступают только импульсы сложения, то триод 7 всегда проводит и число импульсов на выходе схемы равно числу поступивших на вход.  [55]

Если в схеме не было бы диода Дь то потенциал эмиттера мог бы оказаться более высоким, чем потенциал базы триода Т ( в пределе - равным ( УСм) и триод Тг был бы приоткрыт.  [56]

Одновременно с этим рост / Э1 приводит к повышению потенциала эмиттеров иа.  [57]

Схема ОК не поворачивает фазу входного сигнала, следовательно, потенциал эмиттера привязан к потенциалу базы и повторяет его изменения При низких частотах работа эмиттерпого повторителя определяется соотношениями схемы ОЭ.  [58]

Если в схеме не было бы диода VD1, то потенциал эмиттера мог бы оказаться более высоким, чем потенциал базы транзистора VT1 ( в пределе - равным [ Л: м) и транзистор VT1 был бы приоткрыт.  [59]

Выше указывалось, что в момент переключения транзистора в закрытое состояние потенциал эмиттера ниже потенциала базы и, следовательно, к переходу эмиттер - база приложено обратное напряжение. Если бы потенциалы эмиттера и базы просто выравнивались ( что является вполне достаточным для прекращения тока в цепи базы), сказалось бы вредное влияние неуправляемых токов транзистора. Освобождение собственных носителей заряда в переходе база - коллектор создает неуправляемый обратный коллекторный ток / к.о. Диффузия носителей зарядов из эмиттера в базу создает неуправляемый начальный коллекторный ток / к ш проходящий через оба перехода. Отсутствие тока в цепи базы не препятствует возникновению неуправляемых токов. Если транзистор не нагрет, неуправляемые токи настолько малы, что не оказывают существенного влияния на его работоспособность. Однако при повышении температуры неуправляемые токи быстро возрастают, увеличивая нагрев транзистора. Повышение температуры, в свою очередь, вызывает увеличение неуправляемых токов, и таким образом этот процесс развивается лавинообразно, приводя в конечном результате к тепловому пробою транзистора. Обратное напряжение, приложенное к переходу эмиттер - база, создает электрическое поле, препятствующее возникновению неуправляемых токов, и обеспечивает работоспособность германиевого транзистора при повышении температуры в условиях эксплуатации. Способ защиты приложением обратного напряжения называется активным запиранием транзистора. Активное запирание применяется как в реле-регуляторе РР362, так и в транзисторных регуляторах напряжения других типов, а также в схеме контактно-транзисторного зажигания. В последнем случае активное запирание транзистора осуществляется импульсом обратного напряжения, создаваемого вспомогательным трансформатором в момент размыкания контактов.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5