Потенциал - эмиттер - транзистор
Cтраница 1
Потенциалы эмиттеров транзисторов устанавливаются близкими к нулю. [1]
При равенстве потенциалов эмиттера транзистора TI и земли исходный режим работы Т удается обеспечить только при значительном сопротивлении резистора 3, в результате чего общая обратная связь оказывается сильно ослабленной, а стабильность схемы невысокой. [2]
Заметим, что потенциал эмиттера транзистора Т2 по мере разряда конденсатора С повышается. [3]
Rt не происходит и потенциалы эмиттеров транзисторов в обоих плечах усилителя остаются неизменными. [4]
Метод компенсации основан на поддержании потенциала эмиттеров транзисторов ТЗ, Т4 постоянным и близким к нулю. [5]
 |
Принципиальная электрическая схема триггера Шмитта ST273 - 1. [6] |
Падение напряжения на резисторе R6 уменьшается, потенциал эмиттера транзистора Т2 становится более положительным. [7]
 |
Электрическая схема. [8] |
В случае выхода из строя лампы Л1 потенциал эмиттера транзистора То уменьшается до значения, достаточного для его надежного насыщения. [9]
 |
Избирательный усилитель с двойным Т - образным мостом. [10] |
Необходимый отрицательный потенциал базы транзистора ПТг обеспечивается за счет потенциала эмиттера транзистора ЯГ4, который и передается через сопротивления Rit R2 Т - образного моста. [11]
Базовый потенциал транзисторов VT4, VT5, а следовательно, и потенциалы эмиттеров транзисторов VT2 и VT3 определяются делителем на транзисторах VT9 и VT10, смещение на которые обеспечивается транзисторами VT1 и VT12 в диодном включении. [12]
 |
Принципиальная электрическая схема селекторной ячейки ППС-1. [13] |
Во всех режимах, кроме короткого замыкания в сигнальной линии, потенциал эмиттера транзистора Т1 превышает потенциал его базы, чем обеспечивается режим отсечки коллекторного тока указанного транзистора. При этом транзистор Т5 насыщен, а транзистор Т6 находится в режиме отсечки коллекторного тока. [14]
В начале запирания транзистора 7 начинается процесс заряда конденсатора, вызывающий уменьшение потенциала эмиттера транзистора 7 и изменение направления тока эмиттера на обратное. Ток базы транзистора Tj при этом оказывается равным суммарному току коллектора и эмиттера, а распределение неосновных носителей в базе становится нелинейным. Ток коллектора уменьшается медленнее, чем заряд в базе. Анализ рассматриваемого переходного процесса затруднителен, так как уравнение заряда оказывается нелинейным. [15]
Страницы: 1 2 3