Потенциал - эмиттер - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Мода - это форма уродства столь невыносимого, что нам приходится менять ее каждые шесть месяцев. Законы Мерфи (еще...)

Потенциал - эмиттер - транзистор

Cтраница 2


Например, если IB схеме на рис. 9.7 а увеличится напряжение f / эт, то потенциал эмиттера транзистора Ту понизится и ток коллектора его уменьшится.  [16]

17 Способы соединения регулирующих транзисторов. [17]

Если напряжение на одном из транзисторов ( например, Т) окажется больше, чем на втором ( Т %), то потенциал эмиттера транзистора Та понизится, что вызовет увеличение его сопротивления и падение напряжения на нем.  [18]

В тот момент, когда напряжение в эмиттере будет близко к нулю, транзистор VT1 открывается. Потенциал эмиттера транзистора VT1 за все время разряда конденсатора остается почти постоянным и близким к нулю. Транзистор VT2 начнет открываться в тот момент, когда напряжение на конденсаторе будет близко к нулю.  [19]

Потенциал базы транзистора Т7 определяется напряжением стабилизации стабилитрона Д23, который при одновременном включении прибора в сеть и в пультовую линию пробивается, и на базе транзистора 77 устанавливается потенциал порядка - 99 В относительно общего плюсового провода. Потенциал эмиттера транзистора Т7 при работе преобразователя от пультовой линии равен - 14 В. Таким образом, транзистор 77 оказывается закрытым, и потенциал его коллектора будет близок к стабилизированному напряжению источника-24... За счет высокого потенциала на коллекторе транзистора 77 происходит пробой цепочки из двух последовательно включенных стабилитронов Д27 и Д28, благодаря чему транзистор Т13 будет находиться в открытом состоянии. Между коллектором Т13 и минусовым проводом блока питания через резистор R26 включен световой сигнализатор.  [20]

Заряд конденсатора происходит до потенциала, подаваемого на правый вход дифференциального усилителя от стабилизатора опорного напряжения. Когда напряжение на С1 превысит потенциал эмиттера транзистора ТЗ, последний открывается. При достижении коллекторным токо. Положительный импульс с выхода формирователя запускает ждущий мультивибратор ( Т 12, Т13), мощный положительный импульс с выхода которого поступает на базу разрядного транзистора Т2 и открывает его.  [21]

Эта схема применяется при низкоомной нагрузке. Выходное напряжение снимается как разность потенциалов эмиттеров транзисторов.  [22]

23 Электрическая схема триггера с автоматическим смешением. [23]

Действительно, напряжение, необходимое для запирания одного из транзисторов, можно получить с помощью второго открытого транзистора. В ней, как видно из рисунка, потенциалы эмиттеров транзисторов 7 и Г2 одинаковы, а потенциалы баз зависят от состояний транзисторов. Допустим, что транзистор Т2 заперт, а тран-истор Т1 открыт. Конденсатор Сэ, включенный параллельно резистору R9, имеет обычно большую емкость, в результате чего напряжение us может изменяться лишь аа атносительно большие промежутки времени.  [24]

25 Упрощенная схема стабилизация режима работы каскодного усилителя три больших ( а и при малых ( б сопротивлениях в цепях баз. [25]

Правильно подбирая делитель Ri-RA в схеме ( рис. 2.21 а), можно обеспечить любое желаемое распределение напряжения источника питания между обоими транзисторами. Вследствие глубокой отрицательной обратной связи по постоянному току потенциалы эмиттеров транзисторов автоматически поддерживаются близкими к потенциалам, снимаемым с потенциометрического делителя Ri-Ra на базы. Поэтому напряжение коллектор-эмиттер транзистора TI практически равно падению напряжения на резисторе R2 и, следовательно, распределение напряжения между транзисторами полностью определяется распределением напряжения вдоль плечей делителя R - R3 и не зависит от параметров транзисторов и их нестабильности.  [26]

27 Логическая схема И. [27]

Если на вход инвертора подан положительный единичный сигнал, то транзистор открыт и находится в режиме насыщения. На выход схемы НЕ поступает сигнал логический 0, близкий к потенциалу эмиттера транзистора. Если на вход схемы НЕ подается нулевой сигнал, то транзистор закрыт отрицательным смещением от источника Еб и на выходе схемы будет сигнал 1, близкий к потенциалу коллекторного источника питания.  [28]

Значения сопротивлений этих делителей подобраны таким образом, что при неосвещенном фоторезисторе потенциал эмиттера транзистора Тг оказывается более положительным, чем потенциал базы. При этом коллекторный ток транзистора 7 велик, а коллекторное напряжение мало. Потенциал базы транзистора Г2 при этих условиях имеет положительный потенциал относительно потенциала эмиттера, поэтому коллекторный ток транзистора Т2 практически равен нулю.  [29]

30 Эквивалентные полусхемы дифференциального каскада. О - для синфазного сигнала. б - для дифференциального сигнала. [30]



Страницы:      1    2    3