Потенциал - эмиттер - транзистор
Cтраница 3
Полезный сигнал С / ь подводимый к входным выводам ДК, делится пополам и поступает на входы в противофазе. В результате вызываемые им изменения токов, протекающих через резистор R3 в противоположных направлениях, компенсируются, поэтому потенциал эмиттеров транзисторов при изменении токов не меняется. Таким образом, отрицательная ОС по полезному сигналу в ДК отсутствует и снижения коэффициента усиления напряжения не происходит. [31]
 |
Схема триггера с эмиттерной связью на транзисторах разного типа проводимости. [32] |
Другим положительным сврйством триггеров на транзисторах разного типа проводимости является то, что с коллекторов двух одновременно закрытых транзисторов снимаются напряжения взаимопротивоположной полярности по отношению к эмиттерным выводам. При открытых транзисторах напряжения между их коллекторами близки к нулевому значению, а потенциалы коллекторов весьма незначительно отличаются от потенциалов эмиттеров транзисторов. [33]
 |
Принципиальная схема интегрального операционного усилителя типа LF 356. [34] |
Таким образом, в схеме осуществляется отрицательная обратная связь для синфазного входного сигнала. Потенциал эмиттеров транзисторов Т3 и Т4 составляет при этом величину, равную ( V - 0 6) В. Выбор токов покоя транзисторов входного каскада в отличие от предыдущей схемы определяется не входным током при отсутствии сигнала, а температурным коэффициентом напряжения затвор-исток. При этом для тока покоя стока, определяющего положение рабочей точки, выбирают наиболее благоприятную с точки зрения этого критерия величину ID IDZ. [35]
На рис. 9.20, б показан фрагмент топологии накопителя с двумя элементами памяти одной строки, имеющими один общий инжектор И, связанный с шиной питания X ( Et, B. Общим эмиттером транзисторов одной строки и шиной X является скрытый слой я - типа. Так как потенциалы эмиттеров транзисторов разных строк в режиме выборки различаются, то эти транзисторы должны быть изолированными. Штриховой линией обведена область, соответствующая одному элементу памяти. Примерно такую же площадь имеют статические элементы памяти на КМДП-транзисторах. Статические элементы на п-канальных МДП-транзисторах имеют меньшую, а динамические - много меньшую площадь. [36]
 |
Элемент И-НЕ типа И2Л.| Зависимость между временем задержки и инжектируемым током.| Элемент ИЛИ-ИЛИ-НЕ типа ЭСЛ. [37] |
Рассмотрим соотношение потенциалов в данной схеме. Если транзистор Т3 заперт, падение напряжения на сопротивлении R2, которое определяется только током базы транзистора 7, мало и составляет около 0 2 В. В этом случае потенциал эмиттера транзистора Т5 равен - 0 9 В, что является высоким уровнем выходного напряжения. [38]
Одновременно с этим через диод VD3 подключается резистор R6 обмотки реле К2 и ХЗ и холодные нити ламп указателей. Это вызывает понижение потенциала эмиттера транзистора VTI, и транзисторы VT2 и VT5 открываются. Через открытый транзистор VT5 поступает ток в обмотку исполнительного реле К. Конденсатор С1 начинает разряжаться и удерживает некоторое время транзистор в открытом состоянии. [39]
Принцип работы стабилизатора сводится к следующему. Если абсолютное значение входного напряжения возрастает, то увеличивается и выходное напряжение. Это значит, что потенциал эмиттера транзистора становится более отрицательным по отношению к земле. [40]
При отсутствии сигнала от фильтра положительный потенциал инвертирующего входа компаратора А2 оказывается больше потенциала неинвертирующего входа и на выходе компаратора имеется отрицательное напряжение иг. В этом случае диод VD6 открыт, конденсатор С4 разряжен, на базе транзистора VT имеется небольшой положительный потенциал. Резисторы R17 и R18 имеют равные сопротивления, поэтому потенциал эмиттера транзистора VT близок к нулю. В этом случае транзистор закрыт и на выходе схемы максимальное положительное напряжение 1ГВШ ЕП. Таким образом, наличие напряжения [ 7ВЫХ соответствует исходному состоянию реле. В этом случае ток КЗ является рабочим током и в отрицательном напряжении U содержится незначительная переменная составляющая промышленной частоты. Изменяясь во времени, напряжение f / i остается больше по абсолютному значению напряжения уставки Uy, при котором компаратор переключается и на его выходе напряжение изменяет знак и становится положительным. Параметры R14 и С4 выбраны так, что конденсатор до напряжения заряжается в течение 22 мс. По истечении этого времени транзистор КГ открывается, напряжение С / ВЬ1Х на его выходе исчезает. [41]
Схема отрицания НЕ, наиболее часто применяемая с диодными схемами, показана на рис. 8.2. Работа этой схемы напоминает работу диодной ячейки рис. 6.2, если переход транзистора база-эмиттер считать диодом. На выходе схемы НЕ будет низкий уровень напряжения ( нулевой сигнал), близкий к потенциалу эмиттера транзистора. [42]
В современных дифференциальных УПТ интегрального исполнения ( например, серии КП8) вместо резистора R5 ( см. рис. 116) применен генератор тока, эквивалентное выходное сопротивление которого значительно выше. Генератор тока выполнен на транзисторе VT3, резисторах R3, R4 и R5 и транзисторе VT4 в диодном включении. Напряжение Um подбирают так, чтобы коллекторный ток транзистора VT3 был равен сумме эмиттерных токов транзисторов VT1 и VT2, а потенциал эмиттеров транзисторов VT1 и VT2 был близок к нулю. [43]
Страницы: 1 2 3