Поток - дырка
Cтраница 1
Поток дырок из валентной зоны в центры типа а пропорционален произведению концентрации дырок на поверхности psl на концентрацию электронов в центрах типа a nal. Фактически, конечно, электроны центров типа а попадают на свободные уровни в валентной зоне, соответствующие дыркам. Обратный поток есть тепловой выброс дырок: электроны из валентной зоны переходят на свободные центры типа а. Поэтому обратный поток будет практически равен своему равновесному значению. [1]
 |
Монополярная диффузия в результате инжекции дырок в электронный полупроводник. [2] |
Потоки дырок и электронов направлены в разные стороны: дырки двигаются в глубь кристалла, а электроны - в сторону инжектирующей поверхности, в район электронно-дырочного облачка, где происходит интенсивная рекомбинация и необходимо пополнение основных носителей. Результирующий ток является суммой дырочной и электронной составляющих. [3]
Поток дырок, равный по величине и противоположный по направлению данному потоку Л, может быть лишь результатом термической генерации электронно-дырочных пар у поверхности. [4]
Поток дырок в базовый слой Pz, пропорциональный току / я / 2, повышает потенциал этого слоя и тем самым приводит к смещению эмиттерного перехода / з в прямом направлении. Таким образом, в базовый слой п помимо потока электронов, пропорционального току / д / 2, поступает дополнительный поток электронов, пропорциональный коллекторному току п-р - п транзистора. [5]
Поток дырок, инжектированных в свободную от поля часть л-области, определяется диффузионными процессами. Следовательно, дырочный ток пропорционален градиенту плотности дырок. Плотность дырок в л-области падает экспоненциально с удалением от места их возникновения. [6]
 |
Монополярная диффузия в результате инжекции дырок в электронный полупроводник. [7] |
Потоки дырок и электронов направлены в разные стороны: дырки двигаются в глубь кристалла, а электроны - в сторону инжектирующей поверхности, в район электронно-дырочного облачка, где происходит интенсивная рекомбинация и необходимо пополнение основных носителей. Результирующий ток является суммой дырочной и электронной составляющих. [8]
 |
Мощный диод с г-слоем. [9] |
Потоки дырок справа и слева через барьер Должны быть примерно одинаковы, так как каждый из них во мною раз превышает результирующий ток. [10]
Поток дырок, проходящий через запирающий слой, создает ток / 2 в цепи коллектора. Этот ток проходит через сопротивление R и создает на нем соответствующее падение напряжения. Важно отметить, что ток ia почти не зависит от величины электродвижущей силы Ек и от падения напряжения на сопротивлении. Это объясняется следующими причинами. Запирающий слой настолько тонок ( доли микрона), что напряженность электрического поля получается значительной даже при малой разности напряжений между его границами. Поэтому все дырки, прошедшие без рекомбинации через основание и приблизившиеся к запирающему слою, находя щемуся между основанием и коллектором, увлекаются электрическим полем к коллектору. Количество дырок, вводимых в слой основания со стороны эмиттера, определяется лишь током в цепи эмиттера 1г и не зависит от напряжения между коллектором и основанием. [11]
Поток дырок, проходящий через запорный слой, создает то i - i в цепи коллектора. Этот ток проходит через сопротивление R и создает соответствующее падение напряжения. Важно отметить, что так i2 почти не зависит от величины электродвижущей силы Ек и от падения напряжения на сопротивлении R. Это объясняется следующими причинами. Запорный слой настолько тонок ( доли микрона), что градиент потенциала в нем ( и соответственно напряженность электрического поля) получается значительным даже при малой разности напряжений между его границами. [12]
 |
Взаимообмен потоков носителей между внутренним объемом и поверхностью кристалла. [13] |
А, Поток дырок, равный по величине и противоположный по направлению данному потоку А, может быть лишь результатом термической генерации электронно-дырочных пар у поверхности. [14]
Очевидно, поток дырок к электролитическому барьеру сопровождается движением такого же потока электронов в противоположном направлении, что вызывает дополнительный электрический ток. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5