Поток - дырка
Cтраница 2
Однако сопротивление потоку дырок из германия в коллекторный контакт мало. [16]
В состоянии равновесия поток дырок, подходящих к поверхности кристалла и-типа, должен быть равен потоку дырок, движущихся в обратном направлении, причем этот поток включает как отраженные от поверхности, так и вновь возникшие дырки. Но при отступлении от равновесия эти потоки уже не компенсируют друг друга. [17]
Вблизи коллекторного перехода поток дырок попадает под действие электрического поля обратно смещенного р-л-перехода. Это вызывает быстрый дрейф дырок через коллекторный переход в область коллектора, где они становятся основными носителями зарядов и легко доходят до коллекторного вывода. [18]
 |
Потоки электронов через равновесный р - n - переход ( а. к выводу выражения для тока, образованного неосновными носителями, проходящими. [19] |
Аналогично формируются и потоки дырок через р - - переход. [20]
При таком равновесии поток дырок движется через пластину, не отклоняясь. [21]
 |
Энергетическая зонная диаграмма модели гетероперехода Андерсона при.| Гетеропереходы с различной конфигурацией энергетических зон. [22] |
В рассматриваемой структуре поток дырок через границу раздела ( которые затем рекомбинируют в квазинейтральной л-области) пренебрежимо мал по сравнению с электронным током из-эа наличия большого потенциального барьера. [23]
За) и поток дырок из / з-области в - область ( поток 2) именовать потоками основных носителей заряда, а встречные потоки ( потоки 3 и 4) - потоками неосновных носителей заряда. Преобладание потоков основных носителей заряда над потоками неосновных носителей не приводит, однако, к выравниванию концентрации носителей в обеих областях полупроводника, так как перемещение заряженных частиц сопровождается нарушением электрической нейтральности полупроводника в непосредственной близости от границы раздела. [24]
 |
Семейства статических входных ( а и выходных ( б характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. [25] |
Для того чтобы скомпенсировать избыточный поток дырок из базы в коллектор, необходимо приложить к коллекторному переходу прямое напряжение. [26]
 |
Энергетические диаграммы транзистора при различных режимах работы. [27] |
Аналогичное равновесие устанавливается также между потоками дырок, которые находятся на потенциальных гребнях и свободно перемещаются в соседние слои. В равновесном состоянии результирующие токи через оба перехода равны нулю. [28]
Изменяя это напряжение, можно изменить поток дырок из эмиттера в коллектор через базовую область. [29]
 |
Токи в транзисторе. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5