Поток - дырка
Cтраница 3
В равновесном состоянии наблюдается динамическое равновесие между потоками дырок и электронов, протекающими через каждый р-и-пе-реход, и результирующие токи равны нулю. [31]
Благодаря этому ток эмиттера определяется главным образом потоком дырок из эмиттера в базу. В то же время, поток электронов из базы в эмиттер создает очень небольшой ток базы, и потому ток коллектора практически равен току эмиттера. [32]
Если / 0бР уменьшается быстрее / 2, поток дырок в р-базу, определяемый разностью этих токов, увеличивается и соответственно заряд в р-базе возрастает; при обратном соотношении заряд падает. Если изменение / обр соответствует изменению / П2, поток дырок сохраняет свое значение, в этом случае заряд в р-базе остается постоянным. [33]
Теперь видно, что для кристаллов / г-типа поток дырок внутри центральной области неизменно больше, чем снаружи. В результате этого поток дырок в А меньше, чем из Л, и, следовательно, концентрация дырок в этой области истощается. Аналогично поток дырок в В больше, чем из В, и поэтому дырки в этой области накапливаются. Очевидно, что импульс избытка дырок движется направо, в направлении поля, вместе с избытком электронов. [34]
Теперь видно, что для кристаллов n - типа поток дырок внутри центральной области неизменно больше, чем снаружи. В результате этого поток дырок в А меньше, чем из А, и, следовательно, концентрация дырок в этой области истощается. Аналогично поток дырок в В больше, чем из В, и поэтому дырки в этой области накапливаются. Очевидно, что импульс избытка дырок движется направо, в направлении поля, вместе с избытком электронов. [35]
Точно такое же явление будет иметь место и для потока дырок через потенциальный барьер. [36]
Благодаря этому ток эмиттера / э определяется главным образом потоком дырок из эмиттера в базу. [37]
 |
Структура и схема включения транзистора типа р-п - р. [38] |
Если область эмиттера легирована сильнее, чем база, то поток дырок будет превышать встречный поток электронов. Если область базы достаточно тонкая, то большая часть ( 95 - 99 %) попавших в нее дырок не успевает рекомбинировать с электронами и попадает на коллектор, создавая ток / к в его цепи Малая доля рекомбинирующих дыро. [39]
При смене полярности приложенного напряжения ( рис. 1.8 г) поток дырок движется из л - в л-полупроводник. В этом случае к контакту подходит больше дырок, чем их отходит от него в л - область. Поэтому прилегающая часть л-полупроводника обогащается дырками. Этот эффект называется аккумуляцией. [40]
В равновесном состоянии на обоих переходах устанавливается динамическое равновесие между потоками дырок и электронов, протекающих в обе стороны. Эмиттер и коллектор транзистора являются низкоомными слоями, а база - высокоомным слоем. В результате потенциалы Ферми эмиттера фрэ и коллектора ФРК лежат вблизи уровней акцепторов, а у базы уровень Ферми расположен вблизи середины запрещенной зоны. [41]
Понижение потенциального барьера на U0 увеличивает поток электронов из я-области и поток дырок из р-области через переход. [42]
КБ 0) развивается инжекция дырок из коллектора в базу, навстречу потоку дырок, движущихся от эмиттера через базу к коллектору. Ток коллектора при этом резко уменьшается. [43]
 |
Временные диаграммы токов эмиттера и коллектора транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, при подаче на вход импульса тока. [44] |
Одновременно с электронным потоком, подаваемым через базовый вывод, возникает равный ему по величине инжекционный поток дырок из эмитте ра. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5