Появление - вакансия
Cтраница 2
Если принять формальную валентность мгди равной 2, это превышает число ее внешних S-электронов, что приводит к появлению вакансий в Srf-полоее, которые и заполняются электронами водорода при высоком давлении, однако не до конца. [16]
Лица, у которых преимущественное число показателей находится на оптимальном уровне, являются наиболее пригодными для выдвижения на должность при появлении вакансии. [17]
Из-за больших значений § 7 ( по сравнению с энергией образования вакансий Sy) вероятность внедрений собственных атомов в междоузлия в подавляющем большинстве случаев значительно ниже вероятности появления вакансий. [18]
Можно представить, что адсорбция акцептора электронов на окисле jo - типа происходит путем, сходным с путем возникновения слабой связи за счет электрона, переходящего с ионизованного акцепторного уровня; появление вакансии на акцепторном уровне способствует смещению термического равновесия в сторону образования большего числа положительных дырок, увеличению электропроводности и уменьшению температурного коэффициента процесса проводимости. [19]
Комбинация вакансии и атома в между-узлии называется дефектом по Френкелю. Появление вакансии или Междуузельного атома в ковалентном неполярном кристалле не нарушает электрической нейтральности. [20]
 |
Точечные дефекты в металлической кристаллически а-вакансия. 6 -дефект внедрения.| Точечные дефекты в ионных кристаллах. [21] |
В ионных кристаллах, в которых должна соблюл ронейтральность, образование дефектов связано с делением зарядов. Так, появление вакансии кат вождается возникновением вакансии аниона ( рис. 1 тип дефекта в ионном кристалле называется д Шоттки. [22]
 |
Точечные дефекты в ионных кристаллах. [23] |
В ионных кристаллах, в которых должна соблюдаться электронейтральность, образование дефектов связано с перераспределением зарядов. Так, появление вакансии катиона сопровождается возникновением вакансии аннона ( рис. 1.91 а); такой тип дефекта в ионном кристалле называется дефектом Шоттки. Внедрение иона в междоузлие сопровождается появлением на его прежнем месте вакансии, которую можно рассматривать как центр заряда противоположного знака ( рис. 1.916); такой дефект называют дефектом Френкеля. [24]
 |
Точечные дефекты в металлической кристаллической решетке.| Точечные дефекты в ионных кристаллах. [25] |
В ионных кристаллах, в которых должна соблюдаться электронейтральность, образование дефектов связано с перераспределением зарядов. Так, появление вакансии катиона сопровождается, возникновением вакансии аниона ( рис. 1.91 а); такой тип дефекта в ионном кристалле называется дефектом Шоттки. Внедрение иона в междоузлие сопровождается появлением, на его прежнем месте вакансии, которую можно рассматривать как центр заряда противоположного знака ( рис. 1.916); такой дефект называют дефек - том Френкеля. [26]
 |
Точечные дефекты в ионных кристаллах. [27] |
В ионных кристаллах, в которых должна соблюдаться электронейтральность, образование дефектов связано с перераспределением зарядов. Так, появление вакансии катиона сопровождается возникновением вакансии аниона ( рис. 1.8 За), такой тип дефекта в ионном кристалле называется дефектом по Шоттки. [28]
Если ДО и AG этих реакций положительны, то введение примеси регулируется согласно условию пр К. Если AG0, то введение примеси сопровождается появлением вакансий. Величина AG зависит от парциальных давлений паров компонентов во внешней фазе. Например, повышение давления РМ сопровождается заполнением вакансий VM атомами М, a AG уменьшается по абсолютной величине. [29]
При нагревании желтеет в связи с частичной потерей кислорода и появлением вакансий в анионной подрешетке, в связи с чем увеличивается электронная проводимость оксида. При увеличении парциального давления кислорода проводимость оксида уменьшается, что типично для оксидов п-типа. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5