Появление - электрон
Cтраница 1
Появление электронов вызывает ионизацию и дуговой разряд между анодом и катодом, на поверхности которого образуется светлое пятно. [1]
Появление электронов в зоне проводимости в полупроводниках может быть вызвано также присутствием в кристалле различных примесей. На поверхности кристалла такие электроны будут играть роль свободной валентности. [2]
Появление электрона на локальном уровне А свидетельствует о переходе хемосорбированной частицы С из состояния слабой в состояние прочной акцепторной связи с поверхностью. Это может быть осуществлено, как это видно из рис. 20, двумя путями: за счет выпадения на уровень А свободного электрона из зоны проводимости или же за счет заброса на уровень А электрона из валентной зоны. Удаление электрона с уровня D свидетельствует о переходе хемосорбированной частицы С из состояния слабой в состояние прочной донорной связи. Это опять-таки может быть осуществлено двумя путями: в результате рекомбинации электрона, принадлежащего уровню D, со свободной дыркой, странствующей в валентной зоне, или же в результате выброса этого электрона с уровня D в зону проводимости. [3]
 |
Форма импульсов наведенного тока. а в диоде. б в цепи сетки триода. [4] |
До появления электрона в зазоре наведенный ток равен нулю. Затем ток линейно возрастает во времени. [5]
 |
Энергетические спектры примесных пол vii ро пол i. 11 ков. [6] |
При появлении электронов в свободной зоне вещество становится проводником, и его проводимость в отличие от проводимости металлов не уменьшается, а увеличивается с ростом температуры. Это объясняется тем, что число тепловых забросов электронов растет в экспоненциальной зависимости от температуры. Следовательно, при температурах, отличных от О К, существует по электропроводности третий тип вещества - полупроводники. [7]
Одновременно с появлением электронов в зоне проводимости в валентной зоне возникают незаполненные связи вблизи тех атомов, от которых оторвались электроны. [8]
Одновременно с появлением электронов в зоне проводимости в валентной зоне возникают незаполненные связи вблизи тех атомов, от которых эти электроны отделились. Не занятое электроном энергетическое состояние валентной зоны ( электронная дырка) называют дыркой проводимости. [9]
Одновременно с появлением электронов в свободной зоне в заполненной возникает точно такое же количество дырок, которые под действием приложенного к полупроводнику электрического поля способны перемещаться, создавая тем самым дырочный ток. По мере повышения температуры все большее количество электронов и дырок начинает участвовать в электропроводности, при этом электроны будут двигаться против поля, а дырки - по направлению поля. Первые создадут электронный ток, вторые - дырочный. Так как в рассматриваемом случае концентрации электронов и дырок равны друг другу, проводимость полупроводника по своему типу будет смешанной. [10]
Примеси, вызывающие появление электронов проводимости ( например, мышьяк в кремнии), получили название донорных примесей, а примеси, вызывающие появление дырок ( например, бор в кремнии), названы акцепторными. [11]
 |
Атомы мышьяка ( а и бора ( б в решетке кремния. [12] |
Примеси, вызывающие появление электронов проводимости ( например, мышьяк в кремнии), получили название донорных примесей, а примеси, вызывающие появление дырок ( например, бор в кремнии), названы акцепторными. [13]
 |
Кривая изменения радиусов атомов. [14] |
Каждый раз с появлением электрона в новом уровне ( у щелочных металлов) радиус атома резко увеличивается, затем к середине периода уменьшается и вновь возрастает к концу. [15]
Страницы: 1 2 3 4