Появление - электрон
Cтраница 2
 |
Адсорбция на ионном кристалле. [16] |
Образование двухэлектронной связи и появление электрона на локальном уровне в запрещенной зоне может осуществляться двумя путями. Локализация электрона сопровождается выпадением его из зоны проводимости. Однако не исключена возможность появления электрона на локальном уровне за счет перехода его на этот уровень из валентной зоны, чему должно соответствовать возникновение свободной дырки в валентной зоне. [17]
Они связали эти эффекты с появлением электронов, захваченных ловушками, хотя этот эффект мог быть частично обусловлен образованием полимерных свободных радикалов в результате разрыва цепей. Леве [11] опубликовал в 1951 г. некоторые наблюдения, касающиеся образования на поверхности стекла прочно связанных с ним, по-видимому, сшитых полимерных пленок при действии на крановую смазку и другие органические вещества электронов высокой энергии. Первыми широкими публикациями в открытой литературе явились работы Чарлзби [ 12, а ], который рассмотрел эффекты, связанные с действием излучения ядерного реактора на полиэтилен, а также Литтл [ 12, б ], которая опубликовала качественные результаты наблюдений по вопросу о действии излучения реактора на целый ряд природных и синтетических полимеров, отметила возможность одновременного прохождения разрывов и сшивания цепей и указала на стабилизирующее действие ароматических колец. [18]
Превращение нейтрона в протон сопровождается появлением электрона, который и излучается. Он и является Р - - частицей. [19]
Отклонение от ИРС состоит в появлении электрона с иным значением I, чем это должно следовать в соответствии с ИРС. [20]
В полупроводниках с ковалентной химической связью появление электрона в зоне проводимости одновременно создает его вакансию в валентной зоне. Данная вакансия на конкретной молекулярной орбитали может заполняться электронами других занятых близлежащих МО. Такой переход электронов внутри валентной зоны как бы создает движение вакансии с одной МО на другую МО. Такие вакансии называются дырками. Поэтому электрический ток в полупроводнике определяется движением электронов в зоне проводимости и движением электронов в валентной зоне. В первом случае электроны переходят на незанятые МО, во втором - на частично занятые МО. В силу того, что энергии МО в зоне проводимости и валентной зоне отличаются, то и подвижности электронов в этих зонах также отличаются. Движение электронов в валентной зоне часто описывают как движение дырок, но в противоположном направлении. В электрическом поле такие дырки ведут себя как положительные электрические заряды. Проводимость полупроводника определяется как сумма его электронной и дырочной проводимости. [21]
В первом случае результатом ионизации является появление электрона в зоне проводимости, во втором случае - исчезновение дырки в валентной зоне. В первом случае ионизация требует затраты энергии; во втором случае она сопровождается выделением энергии. [22]
Взаимодействие излучения со средой приводит к появлению электронов в зоне проводимости диэлектрика. Движение свободных электронов в периодическом поле идеального кристалла рассматривается на основе квантовой механики. Хотя точное решение задачи встречает значительные трудности, общий характер его изучен достаточно хорошо. Энергетический спектр электрона представляет собой чередование разрешенных и запрещенных зон энергии, а сам электрон представляет плоскую волну, амплитуда которой модулирована с периодом кристаллической решетки. В ряде случаев, однако, зонное состояние электрона проводимости не соответствует минимуму энергии системы и неустойчиво. [23]
Характерной особенностью полупроводников является то, что вероятность появления электрона в зоне проводимости или дырки в заполненной зоне зависит от свойств кристалла ( величина запрещенного участка Дм) и концентрации дефектов всех типов, влияющих на положение уровня Ферми, так как вероятности образования связей различного типа являются экспоненциальными функциями от соответствующих энергий, отсчитанных от уровня Ферми. Поэтому преобладание на поверхности полупроводника той или иной формы хемосорбированных частиц, означающее образование слабой или прочной связи, оказывается зависящим от наличия примесей, не взаимодействующих непосредственно с данными частицами. Примеси влияют косвенно: они смещают положение уровня Ферми, что изменяет вероятности электронных переходов, приводящих к образованию химических связей различного типа. [24]
Наличие таких ионов в решетке германия не приводит ни к появлению электронов в зоне проводимости, ни к возникновению дырок в заполненной зоне. Пограничная область в этом случае лишена носителей тока и р-л-переход ток не пропускает. [25]
Выбрасывание электрона из валентной зоны в зону проводимости означает не только появление электрона, способного реализовать прохождение тока в веществе. [26]
В отсутствие термоэлектронной эмиссии, в зоне катодного падения напряжения наблюдается появление электронов, так как во время горения дуги в этой зоне всегда существует объемный положительный заряд, созданный положительными ионами, появляющимися из столба дуги под действием сил межэлектродного электрического поля. Положительные ионы вместе с электронами на поверхности катода создают сильное прикатодное электрическое поле с большой напряженностью порядка ЫО7 В / см и выше. [27]
При достижении таких расстояний возможен процесс образования металлических связей, т.е. появление коллективных электронов двух соединяемых поверхностей и их взаимодействие с положительно заряженными ионами кристаллических решеток. [28]
Третье уравнение соответствует нашему механизму рекомбинации (3.18), который приводит к появлению электрона в зоне проводимости, необходимого для завершения цикла возбуждения активатора. [29]
Порог пробоя определяется соотношением (2.28), но фотоионизация в данном случае обеспечивает только появление затравочных электронов, тогда как их дальнейшее размножение в прекурсорном слое обусловлено только разогревом в электрическом поле. [30]
Страницы: 1 2 3 4