Вакансия

Cтраница 1

Вакансия ( дырка), образовавшаяся при этом в совокупности отрицательных уровней, должна вести себя как электрон, имеющий положительный заряд. Эта первая из предсказанных теоретически частиц была названа позитроном. [1]

Вакансии обусловливают большую подвижность ионов О2 -; в электрическом поле такие кристаллы обладают ионной проводимостью. [2]

Вакансии могут коагулировать в поры. [3]

Вакансии являются одним из важнейших типов дефектов в твердом теле, определяющим протекание многих процессов и многие свойства металлов. Вблизи абсолютного нуля равновесная концентрация вакансий равна нулю, так как создание вакансии приводит к повышению энергии решетки. При высоких температурах состояние определяется минимумом свободной энергии, включающей энтропию, так как вакансии могут различным образом располагаться в решетке. Энтропия растет при увеличении числа вакансий. [4]

Вакансии непрерывно перемещаются в решетке, когда соседствующий с ней атом переходит в дырку, оставляя пустым свое старое место. Повышение температуры, тепловой подвижности атомов увеличивает число таких актов и увеличивает число вакансий. [5]

Вакансии и межузельные атомы не нарушают термодинамического состояния кристалла, поэтому их называют термодинамически равновесными дефектами. [6]

Вакансия образуется на внешней поверхности пленки МеХ ( плоскость CD) вследствие избыточного давления в этом месте атомов X, а их концентрация в направлении поверхности раздела АВ, где заряженные вакансии разряжаются, уменьшается. [7]

Точечные дефекты в кристаллах. [8]

Вакансии могут возникать в решетках любого типа, ослабляя связи между частицами в кристалле, и прочность кристаллических веществ практически обращается в нуль раньше, чем они полностью перейдут в жидкое состояние. [9]

Вакансии в кристаллической решетке, межузловые ( внедренные) атомы, дислокации играют важную роль в процессах диффузии, повышают химическую активность, что используется, в частности, в технологии быстротвердеющих цементов. Однако наличие дислокаций и дефектов структуры в готовом материале снижает его стойкость, так как деформированные межатомные связи ( как и места концентрации напряжений) более уязвимы для химических и физических воздействий среды. Следовательно, дислокации следует рассматривать как структурный фактор, регулирующий комплекс наиболее важных свойств кристаллических материалов. [10]

Схема краевой дислокации в кристаллической решетке. [11]

Вакансии или внедренные атомы искажают электр ическийГ заряд. Электроны, поглощая различное количество тепловой энергии, могут изменять свое движение в решетке, например возникновение в полупроводниках потоков положительных и отрицательных зарядов. [12]

Вакансии чаще образуются в результате перехода атомов из узла решетки на поверхность или полного испарения с поверхности кристалла и реже в результате их перехода в междоузлие. [13]

Вакансии обусловлены тем, что часть узлов решетки не занята атомами. В кристаллах ионного типа вакансии могут быть в результате выпадения катионов или анионов. К этому же типу дефектов относится внедрение дополнительных атомов в промежутки между узлами решетки кристалла. [14]

Вакансии и дефекты могут самостоятельно мигрировать по крис-в результате диффузии или под действием поля. [15]

Страницы: 1 2 3 4