Вакансия

Cтраница 4

Вакансии ( см. рис. 11, б) - это узлы кристаллической решетки, в которых атомы отсутствуют. Вакансии чаще образуются в результате перехода атома из узла решетки на поверхность или полного испарения с поверхности кристалла и реже в результате его перехода в междоузлие. [46]

Вакансии и междоузельные ионы каждого сорта частиц электрически заряжены, но они могут проникать в нейтральные дислокации. [47]

Вакансии также образуются в процессе пластической деформации, рекристаллизации металла. При данной температуре в кристалле создаются не только одиночные вакансии, но и двойные, тройные и их группировки. Коагуляция вакансии приводит к образованию в сталях микропор. [48]

Вакансия с зарядом д, находящаяся в потенциальной яме вблизи х 0, при наличии внешнего электрического поля требует меньших затрат энергии активизации при смещении по полю, чем при смещении против поля. [49]

Вакансия перемещается, когда соседний атом совершает прыжок а ее место. При движении вакансии через некоторую область кристалла атомы на ее пути смещаются в направлении соседних узлов. Это и есть основной механизм диффузии. Атомы в междоузлиях, несмотря на незначительное их число, перемещаются настолько свободно, что могут определять процессы диффузии. [50]

Вакансии увеличивают сопротивление, так как они рассеивают электроны проводимости. [51]

Вакансии образуются на внешней поверхности пленки MX вследствие избыточного давления в этом месте атомов X, а их концентрация в направлении поверхности раздела металл-пленка, где вакансии разряжаются, уменьшается. Движущей силой возникновения градиента концентрации атомов М по толщине пленки является изменение свободной энергии при протекании химической реакции. [52]

Распределения атомов бора ( сплошные линии и радиационных дефектов ( штрихи в кремнии ( аморфная мишень, рассчитанные методом Монте-Карло.| К оценке глубины залегания радиационных дефектов. [53]

Вакансии и атомы в междоузлиях могут группироваться в плоские или линейные включения ( стержни), которые представляют собой макроскопические дефекты протяженностью до 1 - 2 мкм. Такой процесс термодинамически выгоден, поскольку чужеродные атомы в пределах включений способствуют снижению потенциала деформации решетки вблизи включения. При отжиге плоские и стержневые включения диссоциируют, переходя в дислокационные петли. [54]

Вакансии испускают, а продольные их поглощают. Возрастание плотности частиц на продольных границах, как правило, оказывает влияние на способность этих границ поглощать вакансии. Мера влияния плотности частиц на закономерности диффузионной ползучести определяющим образом зависит от свойств границы раздела частица - матрица. Если эта граница является эффективным источником или стоком вакансий, то поведение материала, содержащего дисперсные частицы, вероятно, не будет сильно отличаться от поведения того же материала, не содержащего частиц. Если граница частица - матрица не является источником или стоком вакансий, то вакансии могут поглощаться только вдоль плоскости границы, обедненной частицами. [55]

Вакансии, возникающие в результате теплового движения, не следует смешивать с регулярно расположенными пустотами в структуре жидкости. [56]

Вакансии и антисайты являются собственными или природными дефектами, поскольку они не связаны с посторонними атомами. [57]

Вакансии могут объединяться в группы и колонии, создавая зародыш субмикроскопической полости - трещины. Они могут также образовывать атмосферы вокруг дислокаций, особенно при высоких температурах. Чем выше температура, тем больше вакансий в решетке и тем легче они перемещаются. [58]

Вакансии могут возникать также в поверхностном слое уже образовавшегося кристалла и затем диффундировать внутрь объема. Нек-рне атомы, образующие поверхностный слой тела, набрав случайно достаточно большую ки-нетич. В дальнейшем эту вакансию может занять соседний глубинный атом, вакансия же переместится на место этого атома. В результате таких элементарных актов диффузии вакансия постепенно проникает в глубь твердого тола. Однако для образования вакансии не обязательно должно произойти полное испарение атома из поверхностного слоя. Если избыточная энергия недостаточна для испарения, то возможно неполное испарение, при к-ром поверхностный атом, вырвавшись из своего окружения, можег. Образовавшаяся при этом вакансия тем же механизмом миграции глубинных атомов уйдет в глубь твердого тела. [59]

Страницы: 1 2 3 4