Вакансия

Cтраница 3

Вакансии, образующиеся за счет дефектов по Френкелю и по Шоттки, в результате тепловых колебаний могут быть легко замещены соседними атомами, что приводит к их перемещению по узлам кристаллической решетки. В кристалле при тепловом равновесии содержится определенное количество вакансий. [31]

Локализация движения дефектона во внешнем потенциальном поле. [32]

Вакансии стремятся собраться в состояние с наименьшей энергией ( k 0), чему способствует бозевский характер статистики. Процесс скапливания ( конденсации) дефектов в этом состоянии происходит до тех пор, пока не начинают проявляться эффекты отталкивания дефектов. Поскольку при фиксированном числе атомов каждая вакансия увеличивает на единицу число кристаллических узлов, то конечная концентрация дефектов действительно создает определенную дилатацию кристалла. Это и есть квантовая дилатация. [33]

Теплопроводность природных алмазов до и после облучения. [34]

Вакансии в алмазах, в отличие от других твердых тел, не мигрируют в исследованном диапазоне температур и стабильны примерно до температуры 800 К. [35]

Вакансии и статические смещения атомов в образующихся фа-ах существенно влияют друг на друга и на состояния в кристалле. [36]

Зависимость удельного электрического сопротивления РгО16 в водороде ( кривая 1 и PrOll833 в кислороде ( кривая 2 от температуры.| Зависимость термоэлектродвижущей силы Рг01183з от температуры для двух образцов. [37]

Вакансии в узлах решетки, в которых размещаются атомы металла, возникают таким образом, что для предельного состава Ce267S4 ( Ce2S3) 102 / з атомов металла беспорядочно распределены среди двенадцати эквивалентных положений в элементарной ячейке с вакансиями в среднем на каждом девятом узле. [38]

Точечные дефекты. [39]

Вакансии составляют особый класс структурных дефектов, которые могут существовать в условиях термодинамического равновесия. Равновесная концентрация вакансий зависит от температуры и определяется законом Больцмана. [40]

Вакансии могут способствовать быстрому образованию небольших кластеров; труднее понять, однако, каким образом они могут существенно повышать скорость образования зон, фиксируемых рентгеновским методом, так как время жизни вакансий ( по крайней мере в чистом металле) неизмеримо меньше времени длительного старения. Возможно, что комплекс вакансия - атом растворенного элемента настолько прочен, что существенная часть вакансий не может уйти к стокам. [41]

Элементарные кристаллические решетки. [42]

Вакансии и дислоцированные атомы представляют собой дефекты кристаллической решетки ( рис. 3), которые не остаются неподвижными. Соседний с вакансией атом, обладающий повышенной энергией, может занять ее место, а вакансия окажется на месте этого атома. Вакансия может перемещаться до тех пор, пока не выйдет на поверхность кристалла. [43]

Вакансии являются точечными дефектами - вакантными позициями в кристаллической решетке; они могут перемещаться, меняясь местами с соседними ионами. Мы увидим, что при заданном режиме напряжений имеются градиенты концентрации вакансий. Вакансии перетекают в сторону уменьшения их концентрации, что соответствует переносу вещества в противоположном направлении; при этом происходит деформация кристаллов по механизму так называемой диффузионной ползучести ( см. гл. Вакансии - это носители деформации, которая осуществляется переносом вещества. [44]

Вакансии - это точечные дефекты, и они могут быстрее перемещаться вдоль сильно неидеальных ядер линейных и двумер-ных дефектов кристаллической структуры, - чем через объем кристалла. [45]

Страницы: 1 2 3 4