Катионная анионная вакансия

Cтраница 1

Катионные и анионные вакансии, по-видимому, зарождаются на поверхности граней кристалла или на поверхности внутренних микротрещин и затем диффундируют в толщу кристалла. [1]

Ими могут быть катионные и анионные вакансии, примесные атомы, меж-узельные ионы и др. См. [2]

Это объясняется ассоциацией противоположно заряженных катионных и анионных вакансий в парные комплексы ( VMVX), которые принято называть бивакансиями. [3]

Заполнение ( частичное или полное) катионных и анионных вакансий ионных кристаллов ведет к появлению в результате облучения центров окраски. Интересно и важно в практическом отношении явление возникновения окраски стекол при облучении, обнаруженное еще первыми исследователями радиоактивности. Появление окраски обусловлено окислительно-восстановительными процессами, протекающими в стекле при облучении. Так, процесс Mn2 - - Mn3 1 e приводит к появлению пурпурного окрашивания, процесс Na е - Na - к образованию необычайно красивой голубой окраски. [4]

Заполнение ( частичное или полное) катионных и анионных вакансий ионных кристаллов ведет к появлению в результате облучения центров окраски. Интересно и важно в практическом отношении явление возникновения окраски стекол при облучении, обнаруженное еще первыми исследователями радиоактивности. Появление окраски обусловлено окислительно-восстановительными процессами, протекающими в стекле при облучении. Так, процесс Mn2 - - Mn3 e приводит к появлению пурпурного окрашивания, процесс Na е - Na - к образованию необычайно красивой голубой окраски. [5]

Носителями эффективных зарядов в этом случае являются катионные и анионные вакансии, а также примесные мпогозарядпые катионы и анионы в узлах решетки хозяина. [6]

Дефекты по Шоттки, характеризующиеся равенством чисел катионных и анионных вакансий, зарождаются на поверхности кристалла или его внутренних микротрещин и диффундируют вглубь кристалла. Катионные и анионные вакансии перемещаются независимо друг от друга. [7]

Зависимость теплового сопро - 4141 считают что количе-тивления MgFe204 от содержания FeO ( I 414J считают. что КОЛИЧе и концентрации катионных вакансий в твер - СТВО КЗТИОННЫХ И ЗНИОННЫХ. [8]

Поскольку пока не создано экспериментальных методов количественного разделения катионных и анионных вакансий, существующих в кристалле одновременно, представляет интерес модель [413, 420], позволяющая проводить полуэмпирические оценки этих величин. [9]

Произведение 9 Эщ остается постоянным даже при неравенстве числа катионных и анионных вакансий, что наблюдается при введении в кристалл ионов с другими зарядами или при возникновении отклонений стехиометрического порядка. [10]

В более сложных соединениях, когда валентности металла и неметалла различны, катионные и анионные вакансии имеют в основном состоянии разные эффективные заряды. Поэтому для них графики, подобные изображенным на рис. 5.4 и 5.5, могут иметь существенно несимметричный ход, в частности, характеризоваться различными угловыми коэффициентами в областях с недостатком и избытком неметалла. [11]

В этих решетках с дефектами по Шоттки по принципу электрической нейтральности может возникать только равное число катионных и анионных вакансий. В этом случае необходима энергия для образования пары вакансий. Какие виды дефектов в определенной кристаллической решетке являются преобладающими, зависит в основном от величины необходимых энергий активации. Вообще говоря, многие типы дефектов существуют одновременно, однако, если один тип, для которого нужны наименьшие энергии образования, сильно превалирует над другими, то соответственно именно он является характерным видом дефекта решетки. В щелочных галогенидах преобладают, например, дефекты по Шоттки. [12]

Анодная поляризационная кривая пассивации железного электрода в 0 5 М H2S04.| Потенциальные барьеры при движении ионов М через оксидный слой. Пунктиром показано влияние на форму барьеров внешнего электрического поля напряженностью X. [13]

Если оксид обладает ионной проводимостью, то из имеющихся представлений можно сделать вывод, что ионная проводимость связана с движением дефектов в кристаллической решетке, которыми могут быть катионные и анионные вакансии и междоузельные ионы. Предположим, что возможно движение междоузельных ионов. Здесь следует обратить внимание на два допущения, используемые при теоретическом рассмотрении. [14]

Страницы: 1 2 3