Стехиометрическая вакансия
Cтраница 1
 |
Диссоциация дислокации в структуре шпинели путем переползания. ( а схема. ( б конфигурация. [1] |
Стехиометрические вакансии в шпинелях с большим п облегчают перераспределения катионов, неизбежные при перемещении дефекта упаковки по нормали к его плоскости. [2]
Стехиометрические вакансии принципиально отличаются от термически активируемых дефектов Шоттки и Френкеля. Стехиометрические вакансии сохраняются и при температуре абсолютного нуля. Кроме того, концентрация стехиометрических вакансий может превышать концентрацию термоактивируемых вакансий на много порядков, что позволяет надежно исследовать их специфические особенности. Исследования показывают, что стехиометрические вакансии необходимо рассматривать как структурный компонент кристалла и формулу соединений с собственными дефектами правильнее записывать в виде А1 П В 1, где П - стехиометрическая вакансия. [3]
В окислах концентрация стехиометрических вакансий зависит от парциального давления кислорода. [4]
Исследование поведения примесей в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями типа 1п2Те3 представляет значительный интерес в связи с некоторыми особенностями свойств этих полупроводников. Причина этого в том, что примесные атомы при растворении локализуются в стехиометрических вакансиях, не ионизуясь при этом. [5]
Междоузельные пустоты в подобных структурах условно называют стехиометрическими вакансиями. Условность этого названия очевидна: описанные позиции в кристаллической решетке не связаны с нарушениями ее идеальности, а выступают лишь в качестве вакантных мест для примесей внедрения или междоузельных атомов. [6]
Стехиометрические вакансии принципиально отличаются от термически активируемых дефектов Шоттки и Френкеля. Стехиометрические вакансии сохраняются и при температуре абсолютного нуля. Кроме того, концентрация стехиометрических вакансий может превышать концентрацию термоактивируемых вакансий на много порядков, что позволяет надежно исследовать их специфические особенности. Исследования показывают, что стехиометрические вакансии необходимо рассматривать как структурный компонент кристалла и формулу соединений с собственными дефектами правильнее записывать в виде А1 П В 1, где П - стехиометрическая вакансия. [7]
В системах теллура с алюминием, галлием и индием наблюдается образование соединений типа А В. Образующиеся стехиометрические вакансии рассматриваются как структурный компонент кристалла. Электрофизические характеристики соединений типа A Sj1 устойчивы к воздействию ионизирующего излучения. [8]
Исследование поведения примесей в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями типа 1п2Те3 представляет значительный интерес в связи с некоторыми особенностями свойств этих полупроводников. Причина этого в том, что примесные атомы при растворении локализуются в стехиометрических вакансиях, не ионизуясь при этом. [9]
Стехиометрические вакансии принципиально отличаются от термически активируемых дефектов Шоттки и Френкеля. Стехиометрические вакансии сохраняются и при температуре абсолютного нуля. Кроме того, концентрация стехиометрических вакансий может превышать концентрацию термоактивируемых вакансий на много порядков, что позволяет надежно исследовать их специфические особенности. Исследования показывают, что стехиометрические вакансии необходимо рассматривать как структурный компонент кристалла и формулу соединений с собственными дефектами правильнее записывать в виде А1 П В 1, где П - стехиометрическая вакансия. [10]
Стехиометрические вакансии принципиально отличаются от термически активируемых дефектов Шоттки и Френкеля. Стехиометрические вакансии сохраняются и при температуре абсолютного нуля. Кроме того, концентрация стехиометрических вакансий может превышать концентрацию термоактивируемых вакансий на много порядков, что позволяет надежно исследовать их специфические особенности. Исследования показывают, что стехиометрические вакансии необходимо рассматривать как структурный компонент кристалла и формулу соединений с собственными дефектами правильнее записывать в виде А1 П В 1, где П - стехиометрическая вакансия. [11]
Стехиометрические вакансии принципиально отличаются от термически активируемых дефектов Шоттки и Френкеля. Стехиометрические вакансии сохраняются и при температуре абсолютного нуля. Кроме того, концентрация стехиометрических вакансий может превышать концентрацию термоактивируемых вакансий на много порядков, что позволяет надежно исследовать их специфические особенности. Исследования показывают, что стехиометрические вакансии необходимо рассматривать как структурный компонент кристалла и формулу соединений с собственными дефектами правильнее записывать в виде А1 П В 1, где П - стехиометрическая вакансия. [12]
Страницы: 1