Cтраница 1
На свободную вакансию может перескочить соседний атом, это будет равнозначно тому, что вакансия переместилась на место этого атома. Движение дефектов в кристаллах весьма характерно. Чем выше температура, тем более вероятен этот процесс. [1]
Полученные зависимости концентраций свободных вакансий от концентрации примесей донорного и акцепторного типа схематически изображены на рис. 5.2 для ионного кристалла, обладающего в чистом состоянии дефектами Шоттки; римскими цифрами обозначены области существования соответствующих предельных решений. [2]
Для занятия атомом свободной вакансии требуется, как правило, меньше энергии, чем для занятия междуузлия. [3]
Появление возбуждения всегда сопровождается образованием свободных вакансий - дырок в. Исчезновение возбужпрний связано с заполнением вакантных состояний - аннигиляции дырок и частиц. Поэтому можно утверждать, что возбуждения возникают и исчезают попарно. [4]
С другой стороны, обратим внимание на ту свободную вакансию в узле кристаллической решетки, которую частица покидает. Этот пустой узел, или, как мы говорим, дырка, окружен атомами, которые сидят в обычных положениях равновесия. Они слегка сместятся, когда рассматриваемый нами атом выскочит. Затем один из окружающих атомов может перескочить с того места, где он находился, в эту дырку. [5]
Напротив, сорбция может замедлять процесс старения ввиду ликвидации свободных вакансий. Величина сорбции, приводящая к разрыхлению, в случае водорода и бария составляет около 10 - 16 лмк / мг. [6]
Имеющиеся, таким образом, в решетке нулевые дефекты ( свободные вакансии), однако, не локализованы в каких-либо определенных узлах ( как это было бы в классическом кристалле), а представляют собой коллективное свойство решетки, не нарушающее ее строгую периодичность. [7]
В 1881 году, когда я был на IV курсе, в лаборатории Бутлерова имелось пять свободных вакансий. [8]
Процесс взаимодиффузии в силикатных расплавах осуществляется, очевидно, за счет движения ионов щелочных металлов по свободным вакансиям и переключением связей кислорода в кремнекислородных тетраэдрах. [9]
Эта формула справедлива независимо от величины энергии связи, если предполагается, что вклад в удельное электросопротивление свободных вакансий и пар примерно одинаков. [10]
Они установили, что вклад в удельное электросопротивление пар растворенный атом - вакансия значительно меньше, чем свободных вакансий. [11]
Кудрявцев и Т. В. Софронов [30] определили, что решетка карбида бора В12С3 ( В4С) имеет структуру со свободными вакансиями, способную образовать твердые растворы по типу внедрения. Этим и объясняется, почему карбиду бора ранее приписывали различные химические формулы. [12]
Безработные либо не обладают нужной профессией, либо живут в таких местах, которые не позволяют им занять свободные вакансии. [13]
А, характеризующую вклад связанных вакансий в удельное электросопротивление, который может отличаться от вклада в удельное электросопротивление свободных вакансий. [14]
Наблюдаемая величина бДр приблизительно равна 3 мком-см, получаем Л О б мком-см, что намного меньше, чем для свободных вакансий. [15]