Свободная вакансия

Cтраница 2

На практике невозможно закалить все равновесные вакансии, кроме того, во время закалки будет происходить перераспределение между парами и свободными вакансиями. [16]

Если же оболочка заполнена более чем наполовину, то предварительно прибавим и вычтем из (72.2) такую же сумму, взятую по свободным вакансиям - дыркам в незаполненной оболочке. [17]

Авторы работы [106] считают, что правомочны оба АЦ, причем биметаллический комплекс образуется при взаимодействии АОС с атомами титана, имеющими первоначально две свободные вакансии. [18]

Если же оболочка заполнена более чем наполовину, то предварительно прибавим и вычтем из ( 72 2) такую же сумму, взятую по свободным вакансиям - дыркам в незаполненной оболочке. [19]

Хемосорбционные связи молекулы С с ионным полу - проводником M R. [20]

Эти виды хемосорбционной связи способны к взаимному переходу: сильная и слабая связь имеют определенное среднее время существования, зависящее от скорости перемещения свободного электрона или свободной вакансии. Когда в полупроводнике устанавливается электронное равновесие, устанавливается и равновесие между различными видами хемосорбции на его поверхности. [21]

Коэффициенты диффузии в хлориде натрия как функция IjT. / - D ( Na. Z - DQ ( Na. 5 - Dnapa ( Na. [22]

Как легко видеть, рассмотренный выше пример анализа экспериментальных данных по определению коэффициентов диффузии и электропроводности существенно определен выбором механизма диффузии, в данном случае с помощью свободных вакансий, с привлечением возможной диффузии ассоциированных пар вакансий. Коэффициенты корреляции задаются постулированным механизмом и тем самым, строго говоря, не могут рассматриваться как параметры, значения которых определяются экспериментально. В последнее время были предприняты попытки непредвзятого определения значения коэффициента / корреляции для случая диффузии ионов обоих знаков в монокристаллах NaCl. [23]

Случай атома с более чем наполовину заполненной внешней оболочкой сводится к предыдущему путем перехода к рассмотрению дырок вместо электронов; поэтому ответ дается той же формулой ( 6) с измененным общим знаком ( заряд дырки равен е), причем под v надо понимать теперь не число электронов, а число свободных вакансий в оболочке. [24]

Случай атома с более чем наполовину заполненной внешней оболочкой сводится к предыдущему путем перехода к рассмотрению дырок вместо электронов; поэтому ответ дается той же формулой ( 6) с измененным общим знаком ( заряд дырки равен - - е), причем под v надо понимать теперь не число электронов, а число свободных вакансий в оболочке. [25]

Во-вторых, в процессе разработки собеседования убедитесь в том, что для каждого интервьюера зарезервировано достаточно времени, учитывая, что часть займет оценка кандидата. Обычно сама свободная вакансия диктует длительность интервью. Как правило, вакансия менеджера среднего звена предполагает собеседование двухчасовое или более продолжительное. Не стоит обкрадывать кандидата или самих себя, выделив на интервью время, недостаточное для выяснения всех вопросов. [26]

Если в кристалле имеется большое количество вакансий, то возможна диффузия атомов по вакансиям, пока все вакансии не окажутся занятыми. Постепенно по мере уменьшения концентрации свободных вакансий этот процесс затухает. [27]

Но при узких областях гомогенности изменения периодов идентичности могут быть ничтожны ( см. § VI. С энергетической стороны занятие атомом свободной вакансии требует, как правило, меньшей энергии, чем занятие междуузлия. [28]

Так как в этом случае также получается экспоненциальная зависимость проводимости от температуры, иногда бывает трудно определить, связана ли наблюдаемая электропроводность с ионами или электронами. Ионная проводимость может быть обусловлена или наличием свободных вакансий в узлах решетки, или присутствием ионов в между-узлиях. При наложении поля движение ионов приводит к накоплению зарядов у электродов и к появлению поляризации, которая является одним из признаков, позволяющих отличить ионную электропроводность от электронной. [30]

Страницы: 1 2 3 4