Cтраница 3
Такой точечный дефект называется вакантным местом или свободной вакансией. [31]
Равенство / д / э 1 вытекает из смысла функции / заполнения состояний. В каждом энергетическом состоянии находится либо электрон, либо свободная вакансия - дырка, откуда и вытекает написанное равенство. [32]
Степень локализации коррозии зависит от соотношения площадей катода и анода. Предполагается, что при обесцинковании латуней цинк перемещается по свободным вакансиям кристаллической решетки металлов. [33]
Такие связи лучше создавать за счет искривления волокон, так как эффект сцепления арматуры за счет искривления волокон разных семейств увеличивается. Кроме того, искривленные волокна занимают больший объем, и свободных вакансий в материале становится меньше, чем в случае прямолинейных волокон. [34]
Известно [10], что даже самые незначительные примеси определенного элемента, связывая свободные вакансии в сплаве, могут в сильной степени изменить кинетику протекающих в нем диффузионных процессов. Очевидно, характер высокотемпературных превращений в твердых растворах Си - А1 может также значительно определяться чистотой сплава. [35]
После заполнения экран продолжает существовать, но уже не пополняется более, не имея свободных вакансий. Некайносимметричный 4d - 3KpaH располагается выше Sd-экрана, что и намечено на рис. 60 пунктиром. [36]
При достаточно высокой объемной концентрации частиц окислов зоны их действия могут перекрываться, что приведет к уменьшению концентрации свободных дефектов в композиции по сравнению с никелем. В результате следует ожидать уменьшения скорости роста пор, зависящей при прочих равных условиях от концентрации свободных вакансий. Поэтому средний размер образующихся при облучении пор в композиции Ni - SIO должен быть меньше, чем в пленках никеля. Действительно ( см. табл. 5), размеры пор в указанных объектах отличаются в 2 - 2 5 раза во всем интервале температур облучения. [37]
Состояние регионального Р.т. в решающей степени зависит от состояния внутренних Р.т. организаций, как наиболее весомых источников пополнения рядов безработных. Поэтому региональные службы занятости должны работать в тесном контакте с организациями, не ограничиваясь информацией об увольнениях и наличии свободных вакансий. [38]
Всякая неровная, в том числе и микрошероховатая, поверхность стремится к уменьшению своей поверхностной энергии. Это значит, что при сообщении некоторой ( толчковой) тепловой энергии все атомы, расположенные на вершинах, начнут скатываться во впадины и занимать там свободные вакансии. Во впадинах всегда и наблюдается относительно большее количество не только вакансий, но и дислокаций. Этот процесс скатывания атомов с вершин в долины естественно приводит к выравниванию микрорельефа и тем самым к уменьшению поверхностной энергии. Практически для процессов сваривания контакта приходится считать средние значения энергии, концентрированной в поверхностных слоях каждой металлической поверхности. Разумеется, эта энергия, носителями которой являются суммарно все известные микродефекты, различна в зависимости от механической, химической или даже электронно-ионной обработок. [39]
После закалки большинство алюминиевых сплавов являются пересыщенными как растворенными атомами, так и вакансиями. Различные виды выделений и явления осаждения находятся вне сферы этой статьи ( см. обзоры [13 - 15]), здесь будет обсуждено действие скоплений растворенных атомов на концентрацию свободных вакансий и на стабильность дислокационных дефектов. Однако вначале необходимо рассмотреть влияние растворенных атомов на равновесную концентрацию вакансий. [40]
При таком избыточном давлении серы доноры частично или полностью компенсируются вакансиями Cd. Данные по диффузии достаточно хорошо подтверждают тот факт, что на самом деле наблюдается явление компенсации, поскольку при температуре термообработки некоторая доля от комплексов вакансия - донор будет диссоциирована, и свободные вакансии смогут участвовать в процессе диффузии. [41]
Теперь перейдем к построению электронных структур некоторых молекул, так же как это было проделано при построении электронных конфигураций атомов. Если добавить один дополнительный электрон к HJ, то, естественно, получим молекулу водорода Н2 - Этот второй электрон может попасть на орбиталь ij6 вместе с первым, так как г ( 6 представляет собой наиболее низкую по энергии орбиталь, которая к тому же имеет свободную вакансию. Чтобы удовлетворить принципу Паули, спины двух электронов должны быть спарены. Энергия связывания должна быть примерно равна - 2f5 без исправления на влияние взаимного экранирования. [42]
Реальная решетка содержит значительное количество дефектов. Появляются свободные вакансии или лишние атомы ( ионы) в междоузлиях. Те и другие могут быть присущи решетке при данной температуре или появляются в результате термической обработки и замораживания структур до наступления равновесия. Безусловно можно ожидать, что аналогичные дефекты имеются и на поверхности. [43]
Первый член в правой части (7.4) представляет собой энергию упругого взаимодействия частицы с петлей: второй - энергию дислокационной петли, третий - энергию, связанную с изменением концентрации точечных дефектов. Из этого выражения следует, что зарождение петли требует тер-моактивируемого преодоления энергетического барьера, который существенно зависит от параметра In ( c / c0), определяемого вакансионным пересыщением в случае образования вакансионной петли и вакансионным недосы-щением In ( c0 / c) в случае образования петли внедрения. Это указывает на то, что вблизи частиц выделений практически нет свободных вакансий. В первые минуты отжига наблюдается образование преципитатов, однако в дальнейшем петли ими не генерируются. По-видимому, снятие напряжений около частиц обеспечивается вакансиями, диффундирующими к преципитатам с поверхности фольги, и отсутствует необходимость создания внутренних источников вакансий в виде дислокационных петель. Это, очевидно, также указывает на то, что для возникновения петель внедрения, помимо упругих напряжений, необходимо вакан-сионное недосыщение, которое в тонкой фольге не может достигнуть критической величины, необходимой для зарождения петли, из-за поверхности, являющейся источником вакансий. [44]
Накопление атомов инертного газа в матрице, происходящее при облучении пленок Ni - SiO ионами Аг4, должно приводить к изменению механизма порообразования. Иными словами, в этом случае механизм порозарождения аналогичен рассмотренному выше. Однако продолжающееся при облучении накопление аргона в пленке неизбежно приведет к уменьшению концентрации свободных вакансий вследствие образования аргон-вакансионных комплексов и, следовательно, уменьшению относительной доли пор вакансионной природы. Ранее отмечалось [204], что влияние аргона на процессы зарождения и роста пор зависит от температуры облучения: при относительно низкой температуре ( 500 С) основной вклад в распухание вносят вакансионные поры, тогда как роль газонаполненных пор растет с увеличением температуры и становится преобладающей при 650 С. [45]