Новая вакансия
Cтраница 2
Это означает, что реакция влечет за собой уменьшение концентрации вакансий в подрешетке серы, которые занимаются атомами кислорода, и понижение проводимости сульфида. При этом вновь возникают вакансии, ранее занятые атомами кислорода и еще у / 2 новые вакансии, занятые атомами серы. В результате увеличивается концентрация вакансий в анионной подрешетке и проводимость. [16]
Это повлечет за собой уменьшение концентрации вакансий в подрешетке серы, которые занимаются атомами кислорода, и понижение проводимости сульфида. При этом вновь возникают вакансии, ранее занятые атомами кислорода, и еще у / 2 новые вакансии, занятые атомами серы. В результате увеличиваются концентрация вакансий в анионной подрешетке и проводимость. [17]
С наличием в структуре ионных кристаллов точечных дефектов существенно связана их электропроводность. Под действием электрического тока ближайший к вакансии ион переходит на ее место, а в точке его прежнего местоположения создается новая вакансия, занимаемая, в свою очередь, соседним ионом. Подобные перескоки ионов реализуются с большой частотой, обеспечивая ионную проводимость кристалла. Например, кристаллы оксида титана в зависимости от давления кислорода в окружающей среде могут иметь переменный состав от TiO0 е до TiOi. При избытке атомов титана в кристалле имеется соответствующая концентрация вакансий кислорода, а при избытке атомов кислорода появляются вакансии титана. В кристаллах оксида цинка ZnO избыточное содержание атомов цинка объясняют нахождением последних в междоузлиях пространственной решетки. [18]
С наличием в структуре ионных кристаллов точечных дефектов существенно связана их электрическая проводимость. Под действием электрического тока ближайший к вакансии ион переходит на ее место, а в точке его прежнего местоположения создается новая вакансия, занимаемая, в свою очередь, соседним ионом. Подобные перескоки ионов реализуются с большой частотой, обеспечивая ионную проводимость кристалла. Благодаря точечным дефектам удается объяснить и существование в природе большого числа так называемых нестехиометрических соединений ( соединений переменного состава), т.е. веществ, состав которых в твердом состоянии отклоняется от их молекулярного состава. Например, кристаллы оксида титана в зависимости от давления кислорода в окружающей среде могут иметь переменный состав от ТЮ0 6 до TiOi. При избытке атомов титана в кристалле имеется соответствующая концентрация вакансий кислорода, а при избытке атомов кислорода появляются вакансии титана. В кристаллах оксида цинка ZnO избыточное содержание атомов цинка объясняют нахождением последних в междоузлиях пространственной решетки. [19]
В модели Андерсона и Хайде [48, 49], как и в предыдущем случае, первичным процессом является возникновение беспорядочно распределенных кислородных вакансий. При некоторой критической, возможно очень низкой, концентрации вакансии собираются в плоские диски, контуры этих дисков представляют собой дислокации, которые благодаря действующим вдоль них напряжениям распространяются ( переползают), захватывая новые вакансии. В отличие от первой модели, здесь для возникновения структуры сдвига не требуется высокой концентрации анионных вакансий. Плоскости сдвига могут зарождаться не только на поверхности восстанавливаемого кристалла, но и в глубине его. [20]
По-настоящему отважные, великие и смелые люди часто оказываются среди тех, кто проявляет наибольшую доброту. Часто их вознаграждает ответная доброта окружающих, и с ними и для них происходит много хорошего. Когда появляется новая вакансия или шанс сопровождать друга на какое-то особо интересное мероприятие, часто особое приглашение получает первым именно тот, кто проявлял доброту по отношению к другим. Кто-то заметил: Болезнь и несчастья приходят из-за того, что нарушен закон любви. [21]
При отсутствии дислокаций новые вакансии должны диффундировать в кристалл с внешней поверхности. Как было показано экспериментально при работе с радиоактивной медью [45], наличие дислокаций не влияет на междоузельную диффузию. [22]
Скорость диффузии ионов кислорода и, следовательно, скорость коррозии циркония возрастают с увеличением концентрации и подвижности вакансий. Если в металле присутствует азот, переходящий в процессе коррозии в окисную пленку, то трехвалентные ионы азота могут заместить кислородные ионы в окисной решетке. В связи с этим возникают новые вакансии. Такие вакансии несколько менее подвижны, чем обычно имеющиеся, так как они должны быть связаны с ионами азота, но в целом скорость диффузии, а соответственно и коррозии, возрастает. При наличии 0 005 % ф водорода и 0 5 % кислорода скорость коррозии циркония увеличивается незначительно. При наличии же 0 1 % водорода и 1 % кислорода она уже увеличивается значительно и стойкость циркония заметно понижается. [23]
Перемещение дислокаций путем восхождения, происходящее в направлении, перпендикулярном к плоскостям скольжения, осуществляется путем диффузионного механизма и требует значительных перемещений атомов и точечных дефектов в решетке. Например, при диффузии вакансии в краевую дислокацию ее лишняя полуплоскость сокращается на одно атомное расстояние. Наоборот, при диффузии атома из узла решетки в дислокацию там образуется новая вакансия, а за этот счет лишняя полуплоскость дислокации увеличивается на одно атомное расстояние. Подобным же образом действует диффузия в дислокацию промежуточного атома, в результате которой этот точечный дефект устраняется. [24]
ЛЮтся интенсивнее других и могут переместиться с одного места на другое, например, из узла решетки в междуузлие. Вышедший из узла атом называется дислоцированным, а незаполненное место, где он ранее находился, вакансией. В любой момент соседний с вакансией атом может перейти на ее место, освободив новую вакансию. Таким образом, вакансии переходят с одного места на другое. Точечные дефекты оказывают очень большое влияние на свойства полупроводниковых материалов. [25]
 |
Схема диффузионного спекания. [26] |
Процессы твердофазового спекания, основанные на диффузионном механизме переноса вещества, являются наиболее распространенными. Возможность диффузии вещества в твердом теле обусловлена наличием дефектов кристаллической решетки. Атом или ион, перескакивающий благодаря тепловому движению с узла решетки на соседнюю вакантную позицию, освобождает тем самым - новую вакансию, что создает возможность продолжения процесса. [27]
Направление и интенсивность диффузионного перемещения вещества между отдельными участками кристалла зависит от существующей между ними разницы в концентрации вакансий. Поэтому для анализа и установления количественных закономерностей данного процесса его удобно рассматривать как диффузию вакансий, направленную в сторону, противоположную диффузии вещества. Таким образом, вещество перемещается от участков, называемых поглотителями ( или стоками) вакансий, к участкам, где образуется наибольшее число новых вакансий. [28]
Пит начинает внимательно присматриваться к работе в этой должности. Он изучает служебное описание позиции и имеет долгую беседу с Джоном о том, как преуспеть на этом участке работы, узнает об особых требованиях в данной конкретной области. Он говорит с сотрудниками, работающими в отделе Джона, чтобы выяснить, каким должен быть новый заведующий отделом в их представлении. Он беседует с другими менеджерами головного офиса, которые постоянно курируют отделы сбыта, чтобы получить совет по поводу новой вакансии. [29]
Страницы: 1 2 3