Новая вакансия

Cтраница 3

На его усеянной валунами поверхности пространство поделено на граничащие между собой, обычно не перекрывающиеся участки площадью до 2 м2, занимаемые особями Eupomacentrus apicalis, Plectroglyphidodon lacrymatus и Pomacentrus wardi. Отдельные рыбы обитают на них в течение всей жизни, защищая свои владения от самых разнообразных, главным образом растительноядных, видов, а также от собственных сородичей. Таким образом, сохранение высокого разнообразия зависит, по меньшей мере отчасти, от непредсказуемого освобождения жизненного пространства. Пока все виды время от времени выигрывают в лотерею незанятые участки, они продолжают пополнять планктон своими личинками, участвуя тем самым в розыгрыше новых вакансий. [31]

Чем выше температура, тем большее значение начинает приобретать процесс 2, который практически заканчивается при температуре 250 С. Однако в действительности комплексо-образующая способность при этом непрерывно возрастает практически вплоть до температуры полного разложения комплексона. Это отчетливо видно из кривых рис. 2, полученных в динамических стендовых условиях. В соответствии с химией комплексонов это может быть объяснено образованием новых вакансий в процессе термолиза исходного комплексона. Этот важный вывод, полученный нами, был многократно подтвержден в промышленных условиях. [32]

При малой избыточной концентрации вакансий рост полостей происходит стадийно: быстрый рост при-малом расстоянии между полостями с последующим резким уменьшением скорости роста. Эти полости могут стать зародышами микропор. При относительно большой избыточной концентрации вакансий вдоль дислокаций может образоваться туннель, радиус которого уменьшается при увеличении плотности дислокаций. Такой туннель нестабилен и распадается на ряд соприкасающихся сферических полостей. Рост таких полостей возможен в результате коа-лесценции при высоких температурах или при введении новых вакансий. [33]

Несомненный интерес представляет принципиальная возможность автокаталятического термического распада твердого тела при образовании значительных концентраций вакансий в объеме кристалла. Известно что анионная вакансия может захватить и локализовать электрон с образованием F-центра и положительной дырки в валентной зоне. Захваченный электрон, по-видимому, не висит в вакансии, а локализован на одном из ближайших катионов, образуя катионный радикал, правда, мало подвижный. Положительная дырка является анионным радикалом. При попадании радикалов на поверхность последние могут разлагаться на газообразные продукты, об. разуя новые вакансии, которые по указанным выше причинам могут переходить в объем кристалла. Очевидно, при таком механизме термический распад должен иметь автокаталитический характер. Анионная вакансия, имея эффективный положительный заряд, представляет собой потенциальную яму для электрона. Катионная вакансия, обладая эффективным отрицательным зарядом, напротив, должна увеличивать энергию электрона. Если в ионном кристалле анион и катион имеют одинаковые валентности, эффективные заряды соответствующих вакансий равны и противоположны. [34]

Дефекты структуры реальных кристаллов разнообразны. Прежде всего различают точечные, линейные и поверхностные дефекты. Существование таких дефектов связано с тем, что отдельные атомы или ионы решетки имеют энергию, превышающую ее среднее значение при данной температуре. Такие атомы колеблются интенсивнее других и могут переместиться с одного места на другое, например, из узла решетки в междуузлие. В любой тйомент соседний с вакансией атом вожет перейти на ее место, освободив новую вакансию. Таким образом, вакансии переходят с одного места на другое. Точечные дефекты оказывают очень большое влияние на свойства полупроводниковых материалов. [35]

Независим от наличия внутри этой поверхности осадка частицы монодисперсной суспензии подходят к поверхности с одинаковой ( при v const) вероятностью. Пока объем пассивной зоны не заполнен, каждая частица, подошедшая к ее границе, переходит в невымываемый осадок. Если же зона заполнена, то вероятность такого перехода меньше единицы. Обозначим вакантную часть поверхности через а. Тогда при частично вакантной зоне кинетический коэффициент равен офщн если для свободной поверхности он был равен рпо. Уменьшение рп происходит непрерывно, поскольку за счет старения осадка появляются новые вакансии в пассивной зоне. [36]

Дефекты структуры реальных кристаллов разнообразны. Прежде всего различают точечные, линейные и поверхностные дефекты. Простейшие и в то же время важнейшие точечные дефекты - 3iQ незанятые узлы решетки, или вакансии, и атомы, находящиеся в междуузлиях. Существование таких дефектов связано с тем, что отдельные атомы или ионы решетки имеют энергию, превышающую ее среднее значение при данной температуре. Такие атомы колеблются интенсивнее других и могут переместиться с одного места на другое, например, из узла решетки в междуузлие. Вышедший из узла атом называется дислоцированным, а незаполненное место, где он ранее находился, - вакансией. В любой момент соседний с вакансией атом может перейти на ее место, освободив новую вакансию. Таким образом, вакансии переходят с одного места на другое. Точечные дефекты оказывают очень большое влияние на свойства полупроводниковых материалов. [37]

Дефекты структуры реальных кристаллов разнообразны. Прежде всего различают точечные, линейные и поверхностные дефекты. Простейшие и в то же время важнейшие точечные дефекты - это незанятые узлы решетки, или вакансии, и атомы, находящиеся в междуузлиях. Существование таких дефектов связано с тем, что отдельные атомы или ионы решетки имеют энергию, превышающую ее среднее значение при данной температуре. Такие атомы колеблются интенсивнее других и могут переместиться с одного места на другое, например, из узла решетки в междуузлие. Вышедший из узла атом называется дислоцированным, а незаполненное место, где он ранее находился, - вакансией. В любой момент соседний с вакансией атом может перейти на ее место, освободив новую вакансию. Таким образом, вакансии переходят с одного места на другое. Точечные дефекты оказывают очень большое влияние на свойства полупроводниковых материалов. [38]

Схема краевой дислокации. [39]

Дефекты структуры реальных кристаллов разнообразны. Прежде всего, различают точечные, линейные и поверхностные дефекты. Простейшие и в то же время важнейшие точечные дефекты это незанятые узлы решетки или вакансии и атомы, находящиеся в междуузлиях. Существование таких дефектов связано г тем, что отдельные атомы или ионы решетки имеют энергию, превышающую ее среднее значение при данной температуре. Такие атомы колеблются интенсивнее других и могут переместиться: одного места на другое, например, из узла решетки в междууз-пие. Вышедший из узла атом называется дислоцированным, а незаполненное место, где он ранее нахо-цился, вакансией. В любой момент соседний с вакансией атом может перейти на ее место, освободив новую вакансию. Таким эбразом, вакансии переходят с одного ме -: та на другое. Точечные дефекты оказы-зают очень большое влияние на свойства юлупроводниковых материалов. [40]

Дефекты структуры реальных кристаллов разнообразны. Прежде всего различают точечные, линейные и поверхностные дефекты. Простейшие и в то же время важнейшие точечные дефекты - - это незанятые узлы решетки, или вакансии, и атомы, находящиеся в междуузлиях. Существование таких дефектов связано с тем. Такие атомы колеблются интенсивнее других и могут переместиться с одного места на другое, например, из узла решетки в междуузлие. Вышедший из узла атом называется дислоциро-ваннъш, а незаполненное место, где он ранее находился, - вакансией. В любой момент соседний с вакансией атом может перейти на ее место, освободив новую вакансию. Таким образом, вакансии переходят с одного места на другое. Точечные дефекты оказывают очень большое влияние на свойства полупроводниковых материалов. [41]

Уникальные электрические свойства полупроводников можно с успехом использовать при изучении движения атомов в данном процессе, поскольку они позволяют определять концентрации изучаемых примесей непрерывно без разрушения образца. В некоторых случаях удалось ясно разобраться в процессе распада пересыщенного твердого раствора. Так, было найдено, что на кинетике выделения лития из пересыщенного твердого раствора в кремнии сильно сказывается ( рис. 13) присутствие следов кислорода [29] ( см. разд. В этом случае влияние примеси на диффузию сказывается не в изменении концентрации вакансий, поскольку примесь лития не входит в решетку, а диффундирует по междоузлиям. Это влияние скорее является результатом взаимодействия лития с кислородом с образованием LiO. Это ограничивает диффузию лития и, кроме того, приводит к химическому равновесию, которое регулирует поступление лития и поэтому влияет на кинетику. Несомненно, однако, что подобные процессы происходят в металлах и что сказывается также влияние примесей, обусловленное образованием новых вакансий в их присутствии, но обычная недостаточная чистота многих металлов и трудности создания соответствующей техники эксперимента для изучения распада твердых растворов препятствуют ясному определению роли примесей во многих технологически важных процессах такого рода, протекающих в металлах. К их числу относятся, конечно, такие явления, как увеличение твердости при старении, возникновение хрупкости и восприимчивости к коррозии на границах зерен, изменение удельного сопротивления, а также изменения механических ( разд. А) и магнитных ( разд. [42]

Страницы: 1 2 3