Cтраница 1
Автоэпитаксия ( гомоэпитаксия) - процесс ориентированного наращивания кристаллического вещества, одинакового по структуре и не отличающегося химически ( или отличающегося незначительно) от вещества подложки. Отличие может заключаться в различном уровне легирования и типе примесей, что обусловливает возможность формирования гомогенных электронно-дырочных структур. [1]
Автоэпитаксия и в частности выращивание кремния на кремнии, как уже указывалось, широко применяется при создании транзисторов и других полупроводниковых приборов. [2]
Автоэпитаксия германия при повышенных температурах свидетельствует о возможности полного или частичного удаления окисной пленки до начала или в процессе конденсации. [3]
Автоэпитаксией называется процесс ориентированного нарастания вещества на своем монокристалле. В широком смысле этот термин эквивалентен обычному росту монокристаллов, однако если образующиеся при автоэпитаксии слои обладают иными свойствами по сравнению с кристаллом-затравкой, то понятия автоэпитаксии и продолжение роста монокристалла не являются тождественными. [4]
При автоэпитаксии дефектность структуры эпитаксиального слоя определяется структурным совершенством подложки и качеством ее поверхности. С увеличением шероховатости поверхности подложки плотность дислокаций в эпитаксиальном слое возрастает. Качество поверхности подложек из разлагающихся полупроводниковых соединений ухудшается в результате термической диссоциации, происходящей при нагреве подложки до высоких температур. Образующиеся вследствие этого на поверхности подложки ямки, заполненные легкоплавким компонентом, вызывают появление дефектов упаковки и дислокаций. Тем не менее при автоэпитаксии плотность дислокаций в эпитаксиальном слое примерно соответствует ее плотности в подложке. Поэтому получение эпитаксиальных слоев с совершенной структурой требует использования подложек с такой же структурой. [5]
Изучение автоэпитаксии интересно потому, что она является наиболее распространенным видом кристаллизации. [6]
Использование процесса автоэпитаксии в полупроводниковой технике основано как раз на возможности получения ориентированных пленок с особыми свойствами, а именно - создании слоев с различными типами проводимости для изготовления диодов, триодов и других полупроводниковых устройств. [7]
Техническое применение автоэпитаксии в полупроводниковой электронике основано на использовании методов кристаллизации из газовой фазы, которые позволяют получать монокристаллические эпитаксиальные пленки с хорошими электрическими свойствами. [8]
С помощью автоэпитаксии в технологии микроэлектроники создаются тонкие монокристаллические слои кремния, легированные-требуемой примесью до нужной концентрации, в которых формируются активные и пассивные элементы интегральных микросхем. [9]
В процессе жидкостной автоэпитаксии SiC возможна локализация процесса осаждения. Для этого используют графити-зированные маски, получаемые на поверхности кристалла-подложки после пиролитического разложения в вакууме масок из стандартных фоторезистов. [10]
Наряду с автоэпитаксией, для получения полупроводниковых устройств может быть использована ориентированная кристаллизация на чужеродных подложках. Отметим, что соединения между двумя различными полупроводниками принято называть смешанными ( гетеросоединениями) в отличие гомосо-единений одного и того же полупроводника с различными типами проводимости. [11]
В общем случае эпитаксию подразделяют на автоэпитаксию ( гомотипная эпитаксия), гетероэпитаксию и хемоэпитаксию. [12]
По данным работ [143, 156, 157, 167, 177, 184, 185, 198] ориентационный эффект при автоэпитаксии германия обнаруживается лишь при температурах выше 500 С. [13]
Так, Ньюмен и Гольдшмит [126] описали автоэпитаксию арсенида галлия. [14]
Процесс ориентированного нарастания вещества на своем монокристалле называется автоэпитаксией. Превращения в твердой фазе, протекающие без изменения состава ( например, мартенситные), соответствуют автоэндотак-сии. [15]