Cтраница 2
Замкнутый процесс выращивания эпитаксиальных пленок имеет преимущества по сравнению с другими видами автоэпитаксии. Так, чистота получаемого осадка здесь мало зависит от чистоты газа, к которому при открытом процессе предъявляются исключительно высокие требования. [16]
Отсутствие таких идеальных условий, при которых сохраняется полная тождественность сопрягаемых решеток, делает автоэпитаксию в действительности аналогичной гетероэпитаксии. Наличие несоответствия между ними возникает в большей или меньшей мере из-за реальных условий процесса конденсации, создающих внутренние напряжения, а затем нониус между обеими решетками и возникновение дислокаций несоответствия. [17]
Такое навязывание своей структуры инородному наслоению называется эпитаксией, наслоение из тех же атомов - автоэпитаксией. [18]
Различают гетероэпитакс ию, когда в-ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о - моэпитаксию ( автоэпитаксию), когда они одинаковы. [19]
Рассчитанные по этим данным значения энергии активации роста, приведенные в табл. 3.14, несколько выше, чем при автоэпитаксии. [20]
Во всех случаях гетероэпитаксии основную роль играют процессы, происходящие на начальном этапе зарождения слоя и его роста, так как после формирования переходного слоя последующие слои осаждают в режиме автоэпитаксии. Для гетероэпитаксии кремния на сапфире лучшие результаты дает силановый метод. Только этим методом удается получить большие по площади однородные слои как р -, так и п-типа электропроводности с различным уровнем легирования. [21]
В заключение данного подраздела укажем, что изучение структуры поверхности кристаллов методом дифракции медленных электронов в сочетании с одновременным наращиванием на этой поверхности слоев того же вещества, позволяет получить важные сведения о процессе автоэпитаксии. О полученных ими результатах говорится в гл. [22]
Вольский и др. [165] изучали выращивание германия методом дискретного ( взрывного) напыления при пониженном давлении в ульраоысоком вакууме. Было показано, что автоэпитаксия в этом случае происходит при температурах ниже 150 С. [23]
Если легировать кремний примесью As, то в системе Si - О - As, как известно, образуется область твердых растворов. Предполагается, что процесс автоэпитаксии начинается путем выделения кремния из пересыщенного раствора жидкой фазы. В начальный момент возможен рост слоя, легированного примесью, которая переходит в раствор из подложки. На более поздних стадиях растущий слой кремния легируется из газовой фазы. [24]
Автоэпитаксией называется процесс ориентированного нарастания вещества на своем монокристалле. В широком смысле этот термин эквивалентен обычному росту монокристаллов, однако если образующиеся при автоэпитаксии слои обладают иными свойствами по сравнению с кристаллом-затравкой, то понятия автоэпитаксии и продолжение роста монокристалла не являются тождественными. [25]
Для получения эпитаксиальных пленок наращиваемый материал и материал подложки могут быть как различными, так и идентичными веществами. Например, эпитаксиальный слой кремния образуется при наращивании на монокристаллические подложки из сапфира или на монокристаллические пластины кремния; последнее называют автоэпитаксией. [26]
Автоэпитаксией называется процесс ориентированного нарастания вещества на своем монокристалле. В широком смысле этот термин эквивалентен обычному росту монокристаллов, однако если образующиеся при автоэпитаксии слои обладают иными свойствами по сравнению с кристаллом-затравкой, то понятия автоэпитаксии и продолжение роста монокристалла не являются тождественными. [27]
Если поверхность подложки перед эпитаксией считать идеально чистой, то основным видом дефектов в растущем слое будут дислокации. Причиной может быть их репродуцирование в слое, а также развитие дислокаций несоответствия в случае гетероэпитаксии. В случае автоэпитаксии при полном соответствии решеток дислокации могут появляться вследствие пластической деформации решетки слоя при отжиге механических напряжений на границе слой - подложка, возникающих в том случае, если тип или уровень легирования подложки и слоя различны. В большинстве случаев это имеет место при получении р-п-структур. [28]
Широкое применение получили монокристаллические пленки, выращенные на кристаллических подложках и имеющие решетку, определенным образом ориентированную относительно решетки подложки. Такой ориентированный рост пленок называют эпитак-сией, а сами пленки - эпитаксиальными. Выращивание пленок из того же вещества, из которого состоит кристалл подложки, называют автоэпитаксией, выращивание из другого вещества - гетеро-эпитаксией. Для того чтобы был возможен эпитаксиальный рост пленки, необходима определенная степень соответствия кристаллической структуры материалов пленки и подложки. Иными словами, равновесные расстояния между атомами и их взаимное расположение в кристаллах пленки и подложки должны быть близкими. Кроме того, чтобы атомы в зародышах могли выстроиться в правильную структуру, они должны обладать достаточно высокой поверхностной подвижностью, что может быть обеспечено при высокой температуре подложки. Особое значение для ориентированного роста имеют одноатомные ступеньки на подложке, заменяющие зародыши, так как на них адсорбированные атомы попадают в устойчивое состояние с высокой энергией связи. Эпитаксиальная пленка растет в первую очередь путем распространения ступенек на всю площадь подложки. В простейшем случае они представляют собой одноатомную. [29]
Первая цель достигается созданием периодического импульсного пересыщения, вторая - повышением температуры поверхности затравки до 2000 К. Во время импульса пересыщения образуются критические зародыши алмаза и графита. Однако при этом зародыши алмаза должают уже имеющуюся подложку ( автоэпитаксия. Зародыши графита, выросшие на чужеродной трехмерны уже в силу необходимости создания новой фазы. Работа образования трехмерных зародышей всегда больше работы образования двухмерных; кроме того, надо учесть, что некоторые грани алмаза, например ( 100), могут расти без образования критического за-вообще. [30]