Cтраница 3
Замечательно, что бензол, не имеющий, в отличие от ла, полярных групп в молекуле, образует граничные фазы на стекле только тогда, если последнее покрыто мономолекулярным адсорбированным слоем нитробензола. Можно полагать, что ориентированный на поверхности стекла монослой нитробензола вызывает своего рода эпитаксиальное действие, распространяющееся в бензоле от слоя к слою и ориентирующее несколько десятков монослоев последнего. Отсюда видно, что состояние поверхности, ее чистота могут играть решающее значение для процесса эпитак-сиального наращивания. В дальнейшем нас будут в основном интересовать процессы, обусловленные автоэпитаксией, в когда затравочный кристалл является метастабильной цией. Процесс наращивания алмаза на алмазные затравочные кристаллы назван физико-химическим синтезом, поскольку он основывается на явлениях, изучением которых занимается физическая химия поверхностных явлений. [31]
При автоэпитаксии дефектность структуры эпитаксиального слоя определяется структурным совершенством подложки и качеством ее поверхности. С увеличением шероховатости поверхности подложки плотность дислокаций в эпитаксиальном слое возрастает. Качество поверхности подложек из разлагающихся полупроводниковых соединений ухудшается в результате термической диссоциации, происходящей при нагреве подложки до высоких температур. Образующиеся вследствие этого на поверхности подложки ямки, заполненные легкоплавким компонентом, вызывают появление дефектов упаковки и дислокаций. Тем не менее при автоэпитаксии плотность дислокаций в эпитаксиальном слое примерно соответствует ее плотности в подложке. Поэтому получение эпитаксиальных слоев с совершенной структурой требует использования подложек с такой же структурой. [32]
Таким образом, продукты реакции циркулируют между более горячей и менее горячей областями, вследствие чего процесс и называется замкнутым, а реакция переноса Ge или Si через их галогениды называется транспортной реакцией. Скорость переноса ( транспортирование вещества) зависит от двух указанных температур, скорости циркуляции и давления. Получение эпитаксиальных пленок при замкнутом процессе имеет ряд преимуществ по сравнению с другими методами автоэпитаксии. Чистота осадка в этом случае в меньшей степени зависит от чистоты йода и вовсе не зависит от чистоты газа, используемого в открытом процессе. Вследствие того, что процесс осуществляется - при низких температурах, диффузия примесей незначительна, поэтому в замкну - том процессе наиболее просто осуществлять любое наперед заданное распределение примесей. [33]
Представляет собой процесс роста монокристалла на ориентирующей подложке. Эпитаксиальный слой продолжает кристаллическую решетку подложки. Толщина его может быть от монослоя до нескольких десятков микрон. Этот процесс называется авто - или гомоэпитаксией. В отличие от автоэпитаксии процесс выращивания монокристаллических слоев на подложках, отличающихся по химическому составу, называется гетероэпитак-сией. [34]