Приложение - внешнее напряжение
Cтраница 1
 |
Схема, показывающая деформацию. [1] |
Приложение внешнего напряжения т создает усилие, действующее на каждую молекулярно-кинетическую единицу, равное т ( А 2Я3), так как ( Я2Я3) - это средняя величина площадки, приходящейся на каждую единицу. Таким образом, действие внешней силы эквивалентно снижению высоты потенциального барьера в направлении действия силы на величину А. [2]
 |
Смещение р-п перехода в прямом направлении. [3] |
Приложение внешнего напряжения называют смещением р-п перехода. Различают два случая: смещение перехода в прямом и в обратном направлениях. [4]
Приложение внешних напряжений вызывает быстрое разрушение, когда полимер находится при температурах, близких к температуре хрупкости, но все еще сохраняет достаточную гибкость. Можно ожидать, что материал, чувствительный к термическому растрескиванию, станет хрупким после достаточно долгой выдержки при повышенной температуре. Время выдержки может составлять от тысячи часов для очень высокомолекулярного полиэтилена средней или высокой плотности до нескольких часов для его низкомолекулярного аналога линейного строения. [5]
Приложение внешних напряжений вызывает быстрое разрушение, когда полимер находится при температурах, близких к температуре хрупкости, но все еще сохраняет достаточную гиб кость. Можно ожидать, что материал, чувствительный к термическому растрескиванию, станет хрупким после достаточно долгой выдержки при повышенной температуре. Время выдержки может составлять от тысячи часов для очень высокомолекулярного полиэтилена средней или высокой плотности до нескольких часов для его низкомолекулярного аналога линейного строения. [6]
Приложение внешнего напряжения нивелирует специфичность влияния наполнителя на процесс кристаллизации вулканизатов. [7]
При приложении внешнего напряжения к р - n - переходу равновесие на нем нарушается и начинает протекать ток, причем величина этого тока изменяется в зависимости от приложенного напряжения. Зависимость между током и напряжением можно представить графически или аналитически в виде вольт-амперной характеристики. Остановимся более подробно на основных свойствах вольт-амперной характеристики р - п-перехода. [8]
 |
Схема р - i-п-диода а, распределение концентра-носителей заряда в нем энергетическая диаграм. [9] |
При приложении внешнего напряжения в прямом направлении из р-области в i-базу инжектируются дырки, а из - области электроны. Инжектированные дырки, диффундируя через базу, частично ре-комбинируют с электронами, а оставшаяся часть пе-рп реходит в n - область, где рекомбинация завершается быстрее вследствие большей концентрации электронов. Аналогично происходит движение инжектированных электронов и. [10]
 |
Энергетическая диаграмма МДП-структуры с учетом заряда на поверхностных состояниях. [11] |
При приложении внешнего напряжения ( плюс на металле, рис. 4.12 6) в приповерхностной области индуцируется отрицательный пространственный заряд. В результате этого положительный заряд уменьшается, а соответственно уменьшается и изгиб зон у поверхности. Потолок валентной зоны и поверхностные уровни в этом случае удаляются от уровня Ферми. [12]
При приложении внешнего напряжения в прямом направлении при VikT / e ток растет пропорционально eev / ftr; при V kT / e ток стремится к бесконечности. Физически это означает исчезновение запорного слоя. Велиична тока ограничивается в этом случае объемным сопротивлением полупроводника и металла. [13]
При приложении внешнего напряжения первая реакция уско ряется, а вторая замедляется. На катоде выделяется газообразный водород. [14]
При приложении внешнего напряжения к электронно-дырочному переходу вместо уровня Ферми следует пользоваться квазиуровнями Ферми для электронов и дырок. Ограничимся тем, что определим положение квазиуровней Ферми на границах перехода. Как уже было показано в § 1.13, квазиуровни для основных носителей остаются практически постоянными. В соответствии с соотношением (1.65) при малых токах градиент квазиуровня Ферми должен быть невелик, так как концентрация носителей не равна нулю. Отсюда следует, что при включении перехода в обратном направлении квазиуровни Ферми в области перехода останутся постоянными. Поэтому нарисуем постоянными квазиуровни Ферми в электронно-дырочном переходе с приложенным напряжением ( рис. 2.10, в, г), а вне перехода квазиуровни для неосновных носителей определять не будем и условно нанесем их штриховыми линиями. [15]
Страницы: 1 2 3 4