Приложение - внешнее напряжение
Cтраница 4
Изложенные предположения соответствуют следующей физической картине p - n - перехода: приложение внешнего напряжения к контактам вызывает изменение равновесного перепада потенциала на величину приложенного напряжения. [46]
Избыточные неосновные носители могут возникать у границ перехода не только за счет приложения внешнего напряжения, но и вследствие воздействия других факторов, например света ( см. гл. [47]
Дальнейшее сближение частиц требует преодоления резко возрастающих сил отталкивания, что может быть осуществлено приложением внешнего напряжения сжатия. При увеличении расстояния превалируют уже силы притяжения; увеличение же расстояния может быть достигнуто лишь за счет приложения внешнего усилия - растяжения. Таким образом, изменение междучастичного расстояния в любом направлении вызывает силы, стремящиеся восстановить это расстояние. Чтобы разрушить систему, удалить частицы на бесконечное расстояние друг от друга, нужно приложить усилие, большее, чем Рт - максимальные силы притяжения. [48]
 |
Контакт металла с полупроводником при наличии внешнего напряжения. [49] |
Прежде чем приступить к расчету вольтамперной характеристики, посмотрим, что произойдет с уровнем химического потенциала при приложении внешнего напряжения U. Пусть сперва полупроводник и металл находятся на большом расстоянии. [50]
Диоды с р-п переходами обладают емкостными свойствами, что связано с пространственным перераспределением заряда электронов и дырок при приложении внешнего напряжения к р-п переходу. Емкость р-п перехода в сильной степени определяет быстродействие переходов и приборов на их основе. [51]
Наиболее опасными дефектами в полимерных материалах, испытывающих хрупкое разрушение, являются микротрещины и субмикротрещины, которые существуют до приложения внешнего напряжения. Очевидно, что прорастание таких микротрещин, которое происходит на первой ( медленной) стадии процесса разрушения, и определяет долговечность материала. Рассмотрим разрыв межатомной связи в вершине микротрещины. Выше уже говорилось о том, что наряду с разрывом связей между атомами возможен и процесс восстановления связей. Для того, чтобы последний осуществился, необходимо преодолеть потенциальный барьер U, величина которого меньше U ( U U), если полимер находится в ненагруженном состоянии. На рис. 64 представлена зависимость потенциальной энергии атомов в вершине микротрещины в зависимости от расстояния между ними. Минимум - потенциальной энергии, расположенный слева, соответствует равновесному положению атомов вдали от трещины; второй минимум, расположенный справа, соответствует равновесному положению атомов, которые после разрыва оказались на свободной поверхности образца. [52]
Согласно работе [55], образование извитка рассматривается как процесс, включающий три стадии: возникновение в прямом волокне внутренних напряжений при приложении внешних напряжений; изгиб волокна под действием этих напряжений до состояния, отвечающего равновесию сил в волокне; постепенная релаксация остаточных напряжений во - времени с сохранением извитости волокна. [53]
При облучении фотоэлементов с запирающим слоем ( из селена, закиси меди, сульфидов таллия или серебра и др.) в них без приложения внешнего напряжения возникает фототек. Эти фотоэлементы называют также вентильными. [54]
Представляет интерес оценить величины напряжений, возникающих под действием сил изображения, а также максимальные расстояния от поверхности, с которых петли выходят на поверхность без приложения внешних напряжений. Воспользуемся для этого соответствующими уравнениями из работы Бастечка [230], который в рамках линейной теории упругости изотропной сплошной среды рассчитал поле напряжений, создаваемое в полупространстве круговой дислокационной петлей с вектором Бюргерса, перпендикулярным к плоскости петли и к свободной поверхности. [55]
Если к переходу приложить напряжение от внешнего источника так, что высота барьера возрастает ( обратное смещение перехода; положительный полюс источника присоединен к области п), движение основных носителей через барьер совершенно прекратится, движение неосновных останется без изменения, так как даже слабый равновесный барьер вытягивает их все без остатка. При приложении внешнего напряжения так, что барьер снизится ( прямое смещение; положительный полюс источника-к области р, отрицательный к области п), действие поля, тормозящего основные носители, ослабится, и они, находясь в избытке в обеих областях, в больших количествах начнут движение через переход. [56]
Страницы: 1 2 3 4