Приложение - внешнее напряжение
Cтраница 2
При приложении внешнего напряжения концентрация электронов в полупроводнике изменяется, следовательно, изменяется поток электронов из полупроводника в металл. Поток электронов из металла в полупроводник остается неизменным. [16]
При приложении внешнего напряжения к двум рабочим электродам, погруженным в раствор электролита, на каждом электроде возникает определенный потенциал. Разность электродных потенциалов соответствует величине приложенного напряжения. При прохождении тока следует учитывать еще и омическое падение напряжения в электролите. [17]
При приложении внешнего напряжения к затвору в зависимости от величины и полярности приложенного напряжения канал может обедняться или обогащаться носителями. [18]
При приложении внешнего напряжения V потенциальный барьер уменьшится на эту величину. [19]
При приложении внешнего напряжения оно падает в основном в объеме слаболегированной области, где возникает наклон энергетических уровней и зон, приводящий к образованию потенциальной ямы для неосновных носителей заряда. Эффект накопления неосновных носителей заряда и последующего их рассасывания - эффект инерционный. Поэтому он может ухудшать быстродействие полупроводниковых приборов. [20]
При приложении внешнего напряжения оно падает в основном в объеме слабо-легированной области. Поэтому только там будет происходить изгиб энергетических уровней и зон, приводящий к образованию потенциальных ям для неосновных носителей заряда. Эффект накопления неосновных носителей заряда и последующего их рассасывания - эффект инерционный. Поэтому он может ухудшать быстродействие полупроводниковых приборов. [21]
При приложении соответствующего внешнего напряжения к двум рабочим электродам, погруженным в раствор электролита ( электролиз), или при получении тока от гальванического элемента через электроды протекает ток. [22]
При приложении внешнего напряжения оно падает в основном в объеме слаболегированной области, где возникает наклон энергетических уровней и зон, приводящий к образованию потенциальной ямы для неосновных носителей заряда. Эффект накопления неосновных носителей заряда и последующего их рассасывания - эффект инерционный. Поэтому он может ухудшать быстродействие полупроводниковых приборов. [23]
В случае приложения внешнего напряжения ( постоянного или переменного) через фоторезистор потечет ток, величина которого зависит от освещенности. После прекращения освещения электроды и дырки рекомбинируют в течение некоторого времени и восстанавливают прежнюю проводимость полупроводника. [24]
В случае приложения внешнего напряжения ( постоянного или переменного) через фотосопротивление потечет ток, величина которого зависит от освещенности. После прекращения освещения электроны и дырки рекомбинируют в течение некоторого времени и восстанавливают прежнюю проводимость полупроводника. [25]
Поскольку при приложении внешнего напряжения все поле оказывается сосредоточенным в высокоомной пленке малой толщины, то напряженности поля в этой области достигают 10 в / см. В результате скорости дрейфа электро-нов начинают превышать среднее значение тепловой скорости: электроны разогреваются и приобретают энергию, достаточную для преодоления барьера и перехода в металл. [26]
Было показано, что приложение внешнего напряжения не только резко ускоряет кристаллизацию, но и смещает максимум замедления кристаллизации в сторону меньших концентраций наполнителя ( рис. 43), при этом сам максимум постепенно вырождается в прямую линию. [27]
Ток из р-области при приложении внешнего напряжения А1 / растет по экспоненте. А ток положительных носителей из п-об-ласти остается постоянным, пока А У не слишком велико. [28]
 |
Вольтамперная характеристика и эквивалентная схема туннельного диода. [29] |
Такое положение создается при приложении внешнего напряжения как в задорном направлении в обычном диоде, так и в прямом направлении в специальном туннельном диоде. [30]
Страницы: 1 2 3 4