Применение - маска
Cтраница 3
Эти стандартные правила используются в программах FOP и ВОЛНА. Во вспомогательных программах правила применения масок могут быть иными, о чем будет сказано ниже. [31]
Большая часть методов, применяемых обычно для создания топкопле-ночных рисунков микросхем, распадается на два класса. Первый класс основан на применении масок заданной формы, находящихся в процессе осаждения пленок в контакте с подложкой. При этом часть потока испаряющегося вещества отделяется и не осаждается в защищенном маской участке подложки. Эти методы называются методами напыления через маски. [32]
Аналогично построен и третий этап. Его отличие состоит в применении маски еще больших размеров и в том, что узлы уже не учитываются. Как видно из показанных на фиг. Полученные контурные рисунки далеки от совершенства. [33]
 |
Паяный шов при штыревых выводах ЭРЭ на печатных платах с неметаллизированными ( а и металлизированными ( б отверстиями. [34] |
Наличие присадок в припое увеличивает степень растворения меди. Ослабление, влияния этого эффекта достигается применением масок, открывающих для горячего лужения ограниченную площадь медной фольги только в области контактных площадок. [35]
Наиболее удобным методом получения окисных покрытий, и в частности двуокиси кремния, используемой в качестве диффузионной маски, является метод термического разложения алкоксисиланов. В работе [103] исследовано легирование германия с применением диффузионных масок, получаемых пиролизом алкоксисиланов. Пары алкоксисиланов в токе газа-носителя ( аргона) подавали в кварцевую трубку, куда помещали германиевые пластины. [36]
 |
Схема автоматической электронно-лучевой системы для изготовления. [37] |
В последние годы разрабатывается технологический процесс полностью автоматизированного изготовления микросхем с помощью луча. В связи с электронным программированием хода луча отпадает необходимость в применении масок. [38]
 |
Устройство для подгонки танталовых пленочных резисторов. [39] |
При индивидуальной подгонке резисторов для каждого из них необходим отдельный катод. В одном из вариантов этого метода электролит для анодирования каждого резистора электрически изолируется путем применения жировой маски, наносимой методом шелко-графин. Таким образом каждый резистор может быть анодирован на различную толщину. [40]
Не следует, по-видимому, пренебрегать и такими поисковыми системами, как Русская поисковая машина ( http: / / search. Последняя допускает применение масок при построении поискового запроса. [41]
Из-за того, что в производстве полупроводниковых схем ширина получаемых линий обычно должна быть равна 0 025 мм и менее, маски для напыления в этой области применения не находят широкого использования. В этом случае требования к размеру пленки 0 1 мм с допуском 0 01 мм вполне обеспечиваются технологическим процессом. Другим примером применения масок для напыления является изготовление пленочных электродов на тонкой пленке двуокиси кремния для снятия вольт-амперных характеристик, необходимых при оценке качества диэлектрического слоя. В этом случае получение рисунка небольших размеров с высокой точностью не является очень важным - важнее сохранить высокую чистоту окисла. Если электроды изготавливаются фотолитографическим методом с последующим травлением, окисел в значительной степени загрязняется примесями. [42]
 |
Количество инертных частиц и частиц-носителей микробов, выделяемых человеком. [43] |
При чихании, кашле и при разговоре изо рта человека выделяется большое количество капелек слюны. Эти капли содержат соли и бактерии, и поэтому необходимо предотвратить загрязнение ими чистых помещений. Обычно это достигается применением масок. [44]
Если теперь эту маску заложить в увеличитель вместе с В4, то получится изображение, содержащее все линии В4, кроме сдвоенных. При дополнительном экспонировании С4 добавляются все остальные линии. Этот метод изготовления и применения маски показан на фиг. [45]
Страницы: 1 2 3 4