Cтраница 3
Содержание его в литосфере составляет 5 - 10 - 7 % ( мае. Примеси золота содержатся в сульфидных рудах цинка, свинца и меди. [31]
Как правило, в германиевых диодах такой примесью является золото. При введении примеси золота также снижается обратный ток диода и межэлектродная емкость, что важно для ускорения переходных процессов. [32]
При этом следует обращать внимание на чистоту свинца, применяющегося в этих опытах, так как химические свойства его во многом зависят от присутствия даже небольших количеств примесей. Так, свинец, содержащий примеси золота, серебра и меди в количествах от 10 - т до 10 - 8 % и расплавленный в фарфоровом тигле, довольно долго сохраняет чистую поверхность, тогда как в присутствии 2 10 - 4 - 3 10 - 4 % золота при рас плавлении сразу покрывается пленкой окислов. [33]
Легирование золотом позволяет сводить к ничтожно малым значениям проводимость определенных участков образца. Так, Твит [14] использовал германий с примесью золота для изучения проводимости вдоль границ зерен. Приготовляя легированные золотом бикристаллы германия, он смог избавиться от эффекта объемной проводимости и измерять проводимость вдоль границ зерен при различных углах, образуемых осями бикристалла. [34]
Присутствие небольших количеств золота ухудшает стойкость расплавленного свинца против окисления в атмосфере воздуха. Так, расплавленный в фарфоровом тигле свинец, содержащий примесь золота в количествах от 10 - 7 до 10 - 8 %, довольно долго сохраняет чистую поверхность. [35]
Проводят глухие опыты на применяемые подсобные реактивы и воду. Для этой цели проводят химико-спектральный анализ дистиллированной воды на примесь золота выпа. Отдельно проводят глухой опыт с эфиром, несколькими миллилитрами дистиллированной воды ( слегка подкисленной соляной кислотой) и сернистым натрием в условиях данной методики анализа. [36]
![]() |
Модель трехслойного паразитного транзистора.| Модель паразитного диода. [37] |
При расчете ИМС можно не учитывать влияние всех особенностей транзисторной структуры, поэтому удается существенно упростить ее модель. Так, например, в большинстве случаев путем введения примеси золота удается настолько уменьшить коэффициенты переноса неосновных носителей для паразитных транзисторов, что активным действием этих транзисторов можно пренебречь, учитывая только влияние емкости подложки. Паразитные диоды также можно исключить ( так как они обычно смещены в обратном направлении), оставив только зарядные емкости этих диодов. При указанных допущениях решающей становится модель активной области базы, коллектор которой шунтируется паразитной емкостью подложки. Эту модель тоже можно упростить, исключив из нее диоды, учитывающие влияние токов основных носителей. [38]
Применение германия, легированного золотом, упрощает исследование оптического поглощения. Кайзер и Фэн [6], например, использовали германий с примесью золота для исследования поглощения при условиях, когда невозможно было ввести поправку на поглощение свободными носителями тока. [39]
Рафинирование осуществляют огневым ( в печах) или электролитическим способом. Огневое рафинирование применяют для очистки черновой меди, содержащей незначительное количество примесей золота и серебра, так как их отделить в печи нельзя, а также для получения менее чистой меди ( 99 5 - 99 7 % Си), идущей для производства медных сплавов. Электролитическое рафинирование применяют для получения более чистой меди и для извлечения ценных примесей - золота и серебра. Анодами служат пластины из черновой меди, а катодами - тонкие пластины из чистой меди. [40]
Из литературных данных [11-14] следует, что за появление поверхностной сверхструктуры Si ( lll) - 5X5ответственна примесь золота. Однако подобная сверхструктура может быть обусловлена и другой примесью. Обнаружено, что на поверхности эпитаксиальных пленок кремния, выращенных в хлоридном процессе, как правило, возникала сс5х5 при первом кратковременном прогреве кристалла до 800 - 900 С, в то время как на поверхности подложек обычно такая структура не появлялась, в том числе и на образцах, легированных золотом до концентраций 1017 - 1018 см-3. Это обстоятельство позволило предположить, что в образовании сс5х5 существенную роль играет примесь, внесенная в процессе роста пленки, а именно в данном процессе наиболее вероятно, - хлор. Характерной особенностью поведения сс5 X 5 является различное время ее существования при 850 С, что зависит от скорости роста пленки кремния. [41]
Эти пленки получают преимущественно гидролизом растворов или пиролизом соответствующих соединений при 300 - 600 С, а также окислением тонких слоев металлов. Для изготовления пленок применяют окислы олова, индия, кадмия, титана, молибдена, вольфрама, ванадия, моноокись кремния с примесью золота или серебра. [42]
Справедливость приведенных в работе данных и их интерпретация не подвергаются сомнению в связи с этим открытием, за исключением случая сильно легированных дырочных образцов с примесью золота. [43]
Скачки эти наблюдаются при 12 5; 25; 37 5; 50 атомных процентах добавок. Так, например, подобно чистому серебру, сплаз ( 51 % Ag 49 % Аи) растворим в горячей концентрированной серной кислоте, но уже при 50 % и выше примеси золота сплав нерастворим в ней, подобно чистому золоту. [44]
Форма кратеров при пробое обычно круглая, диаметром до 20 мкм. Примесей золота в алюминии не обнаружено. Хотя характер пробоя пленок А1о03 связан с условиями их получения и определяется степенью дефектности пленок [47], природа дефектов, стимулирующих стримерныи пробой в пленках, полученных в тлеющем разряде, н настоящее время неясна. [45]