Примесь - золото
Cтраница 4
Отсюда ясно, что эффект накопления паразитного избыточного заряда приводит к существенному снижению надежности работы, транзисторов при их использовании в режиме насыщения. Уменьшение величины этого заряда и снижение его могут быть достигнуты уменьшением времени жизни электронов в коллекторе. Для этого полезно вводить примесь золота в исходный германий. Уровни золота обладают большим сечением захвата для электронов в р-германии. Другим способом может явиться некоторое изменение конструкции прибора: уменьшение расстояния между эмиттером и базовым контактом. [46]
Вследствие оттеснения твердой фазой в процессе роста кристалла золото концентрируется в направлении к концу образца. Сопротивление быстро растет после того, как концентрация золота превысит определенную величину. Сопротивление кремния / ьтипа без примеси золота вдоль направления роста кристалла уменьшается незначительно. [47]
Все металлы, способные осаждаться на отрицательном электроде, по убывающему значению водородного перенапряжения можно представить в следующем порядке: Sn, Bi, Ag, Sb, Cu, Fe, Co, Ni, Аи, Pt. Влияние на саморазряд примесей Sn, Bi, Zn, Ag, As, Co и других металлов, содержащихся в исходном сырье свинцово-сурьмя-нистого сплава в весьма малом количестве, ничтожно по сравнению с действием сурьмы. Крайне вредное влияние могут оказывать лишь примеси золота и платины, которые даже в тысячных долях процента значительно увеличивают газовыделение, поэтому количество их в аккумуляторном сырье не должно превышать 100 тысячных долей процента. [48]
 |
Зависимость тока от времени для импульсного диода. [49] |
Время / х зависит в первую очередь от времени жизни неосновных носителей заряда в базе. Поэтому для импульсных диодов применяют материалы с малым т, что достигается легированием их примесями, образующими центры рекомбинации. Такими являются германий и кремний с примесью золота. [50]
Золото в морях и океанах. Германия после первой мировой войны лихорадочно пыталась найти дешевый способ извлечения золота из морской воды, так как оценки обещали, что этого благородного металла в морях и океанах восемь миллиардов тонн. Но, очевидно, оценка оказалась неверной из-за примеси золота в используемых для анализа реактивах. Окончательный приговор дал масс-спектрометрический метод, результат его неутешительный - один атом Аи на 50000000000000 молекул воды. Другими словами, во всех морях и океанах имеется не более 15 тыс. т золота. [51]
Однако к недостаткам точечных диодов следует отнести малую мощность. В последнее время большое внимание уделяется разработке диодов, которые по своим свойствам занимают промежуточное положение между точечными и плоскостными, их можно назвать микросплавными. Игла в таких диодах сделана из материала с примесью золота, торец ее плоский. В процессе формовки золото диффундирует в германий и образует в нем примесную область. Следовательно, емкость перехода мала. В то же время прямые токи в таких диодах значительно выше, чем в точечных, а прямые напряжения меньше. [52]
На рис. 15 приведены два спектра. Часть спектра платиновой полосы без пробы приведена на рис. 15, слева. Кроме линий, соответствующих двухзаряд-ному иону платины, видны линии примесей золота. На анализ было израсходовано 1 мг платиновой фольги. Второе обыскривание электрода показало, что весь неизвестный материал был израсходован в первой экспозиции. [53]
Эти пленки получают преимущественно гидролизом растворов или пиролизом соответствующих соединений при 500 - 600 С, а также окислением тонких слоев металла. Этим методом получают пленки оксидов олова, индия, кадмия, титана, молибдена, вольфрама, ванадия, монооксида кремния с примесью золота или серебра и др. Особый интерес представляет нанесение электропроводящего слоя на стекло методом тлеющего разряда в атмосфере, в которой проводят обработки поверхности. [54]
Так, например, при исследовании спектров и кинетики фотопроводимости в весьма чистых ( и легированных, золотом) кристаллах Ge, облучаемых быстрыми электронами ( g fss 1 МэВ), в работе [293] надежно определена физическая природа уровней D - f - 0 36 и 0 42 эВ, возникающих в объеме Ge при этих условиях. Результатами работы [293] экспериментально обосновано высказанное в [311] предположение о том, что уровень gB 0 36 эВ принадлежит вакансии. Причиной появления уровня g0 0 42 эВ [293] являются атомы внедрения. Эта мысль экспериментально обоснована в серии следующих опытов с весьма чистыми кристаллами Ge: закаляемыми от высоких температур и содержащими дислокации; свободными от дислокаций; легированными примесью золота. [55]
Страницы: 1 2 3 4