Примесь - группа
Cтраница 1
Примеси IV группы С, Si, Ge, Sn амфотерны для GaAs и могут замещать как галлий, так и мышьяк. Экспериментально установлено, что углерод, кремний, германий и олово являются в GaAs акцепторами. [1]
 |
Схема температурных зависимостей поверхностного заряда в структуре Si - SiO2 ( треугольник Дила. [2] |
Примеси V группы, входящие в узлы ( примеси внедрения, на-примэр фосфор, олово, свинец), наоборот, подавляют кристаллизацию. Действительно, избыточные валентные электроны здесь комбинируются с ненасыщенными Si-О связями, что снижает возможность перестройки решетки. Это способствует снижению подвижности - в большинстве случаев они становятся неподвижными даже в термополевых циклах. [3]
Примеси IV группы S, Se, Те замещают при ионном легировании атомы мышьяка и служат донорами. [4]
 |
Энергия ионизации примесей ( в миллиэлектрон-вольтах в наиболее изученных. [5] |
Атомы примесей V группы всегда замещают узлы в металлоидной подрешетке соединения, образуя нейтральные центры, изоэлек - тронные основным атомам. Если атомы, участвующие в замещении, существенно различаются по электроотрицательности и ковалент-ному радиусу, то вблизи изоэлектронного центра образуется достаточно глубокая потенциальная яма, которая является ловушкой с дискретным уровнем в запрещенной зоне для одного типа носителей заряда. В случае когда примесный атом имеет большую электроотрицательность, чем замещаемый, получается ловушка для электронов. В противоположном случае, когда изовалентная примесь обладает меньшей электроотрицательностью, нежели основные атомы решетки, возникает ловушка для дырок. При малом различии в электроотри-цательностях изоваленткые примеси обладают высокой растворимостью в решетке соединения, образуя твердый раствор с плавно изменяющейся шириной запрещенной зоны. [6]
Для устранения микрогетерофазных примесей II группы более эффективны процессы окисления органических коллоидных веществ и высокомолекулярных соединений, адгезия и адсорбция их на гидроксидах алюминия и железа, агрегация флоку - лянтами катионного типа и др.; для вирусов - вирулицидное воздействие. [7]
 |
Методы концентрирования в анализе следовых количеств веществ. [8] |
Позволяет концентрировать как примеси группы веществ, так и отдельные вещества. [9]
Вводя в германий примеси III группы, мы получаем возможность повышать концентрацию дырок. При достаточной концентрации атомов такой примеси дырки станут основными носителями, а электроны - неосновными носителями. [10]
Как в случае примесей I группы, комплекс очистных сооружений, необходимых для осуществления этих процессов, состоит из типовых элементов, используемых в двух - или одноступенчатой схемах очистки воды. [11]
Три-грег-бутилбор ( по-видимому, содержащий примесь изо-бутильных групп) и три-агор-бутилбор 263 окисляются в эфире в дибутилпероксисоединения, гидролизующиеся в соответствующие бутилгидроперекиси. [12]
Три-грег-бутилбор ( по-видимому, содержащий примесь изо-бутильных групп) и три-агор - бутилбор263 окисляются в эфире в дибутилпероксисоединения, гидролизующиеся в соответствующие бутилгидроперекиси. [13]
Рассмотрим влияние на электропроводность кремния примесей V группы, например сурьмы. Атомы сурьмы имеют по пяти валентных электронов. Внедряясь в узлы кристаллической решетки германия или кремния, они участвуют в образовании парно-электронных ( ковалентных) связей с соседними атомами кремния. На это потребуется четыре электрона, а пятый окажется лишним. Такой электрон значительно легче оторвать от атома, чем электрон, связанный ковалентной связью. Потенциал ионизации водородоподобного атома в такой среде резко уменьшается. [14]
 |
Зависимость логарифма проводимости или. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5