Примесь - группа
Cтраница 3
Кремний может обладать как электронным, так и дырочным механизмом электропроводности, причем примеси III группы периодической системы, введенные в решетку кремния, сообщают ему дырочную проводимость, а примеси V группы - электронную. В последние годы физики научились выращивать из расплава монокристаллы кремния, что было сопряжено с преодолением ряда серьезных трудностей. [31]
Исследования теплопроводности п - и p - Ge с донорнымя или акцепторными примесями в количестве 1014 - 1019 см-3 в области 2 - 90 К показали [745], что даже незначительное легирование Ge ( особенно примесями III группы) резко снижает Я в области низких Т и даже изменяет ее зависимость от температуры. Возможность виртуальных электронных переходов между этими уровнями обусловливает аномально большую энергию взаимодействия собственных колебаний решетки с электронами донорных центров, что и приводит к аномально большой вероятности рассеяния фононов, которая на несколько порядков превышает вероятность, характерную для случая обычного примесного рассеяния. Оценки, проведенные с учетом того, что Д в As приблизительно в 7 раз больше, чем в Sb, в полном соответствии с опытом указывают на гораздо более низкую вероятность рассеяния на донорных центрах As, по сравнению с Sb. В рамках этих представлений также объяснена более сильная, чем Т3, температурная зависимость К в области низких Т ( между 1 3 К и 4 К), и, кроме этого, удалось понять, почему вероятность рассеяния фононов определяется числом заполненных ( электронами) донорных центров, а не общей их концентрацией. [32]
 |
Реактор для хлорирования. 1 2 - печи, з - приемник, 4 - зона хлорирования, 5 - угольная пробка.| Распределение железа в процессе хлорирования. [33] |
Метод хлорирования полупятиокиси ниобия был выбран на основании данных по давлению пара хлоридов вышеуказанных примесей. Для примесей группы I температура угольной пробки подбиралась таким образом, чтобы примесь была сорбирована слоем угля пробки, а пента-хлорид ниобия попал в приемник. [34]
В табл. 11 приведены методы удаления из воды веществ первой группы классификации. Разнородный характер примесей группы приводит к необходимости использования нескольких процессов. Комплекс очистных сооружений, обеспечивающий их протекание, включает смесители, камеры реакции, отстойники ( осветлители), фильтры - при двухступенчатой схеме очистки, или контактные осветлители, либо контактные фильтры - при одноступенчатой схеме. [35]
Примеси первых двух групп являются летучими, и глубокая очистка от них ректификацией зависит от величины коэффициента разделения в системе треххлористый бор - примесь и от эффективности ректификационной колонны. Очистка от примесей IV группы не представляет затруднений. [36]
Поэтому при легировании расплава примесью теллура в эпитаксиальных слоях одновременно с донора-ми TeAs образуются комплексы Те У-а, имеющие акцепторный характер. Аналогично ведут себя и амфотерные примеси IV группы, например олова, образующего акцепторный комплекс. [38]
До настоящего времени HgSe р-типа не найден. Как видно из таблицы, примеси III группы ( AI) и IV группы ( Ge и Si) являются донорами, в то время как примеси I и V групп не влияют на электрофизические свойства. Al, Ge и Si ведут себя как примеси замещения атомов ртути. Поведение примесей I и V групп объясняется двумя возможными причинами: либо их малой растворимостью, либо оттеснением их в конец кристаллизующегося слитка. [39]
Электронная электропроводность, возникающая в полупроводнике при ионизации примесей, называется примесной электропроводностью. При ионизации в кремнии атомов примесей V группы создаются только свободные электроны проводимости. Положительные заряды ионов примеси не дают вклада в элек - тропроводность, так как энергия незаполненной связи у примесного атома отличается от энергии собственных ковалентных связей, и механизма дырочной электропроводности не возникает. [40]
 |
Модельные представления об энер - КИХ ПрбДеЛЗХ ЭЛСКТрОПрОВОД-гии собственной ( а и примесной ( 6, в акти - НОСТЬЮ ПОЛуПрОВОДНИКОВ При. [41] |
Электронная электропроводность, возникающая в полупроводнике при ионизации примесей, называется примесной электропроводностью. При ионизации в кремнии атомов примесей V группы создаются только свободные электроны проводимости. Положительные заряды ионов примеси не дают вклада в электропроводность, так как энергия незаполненной связи у примесного атома отличается от энергии собственных ковалентных связей, и механизма дырочной электропроводности не возникает. [42]
Электронная электропроводность, возникающая в полупроводнике при ионизации примесей, называется примесной электропроводностью. При ионизации в кремнии атомов примесей V группы создаются только свободные электроны проводимости. Положительные заряды ионов примеси не дают вклада в элек - тропроводность, так как энергия незаполненной связи у примесного атома отличается от энергии собственных ковалентных связей, и механизма дырочной электропроводности не возникает. [43]
 |
Энергия ионизации акцепторов в кремнии и германии. [44] |
В табл. 7.3 приведены экспериментальные значения Ел примесей III группы в германии и кремнии. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5