Cтраница 5
В прямозонных полупроводниках InSb и InAs доноры не имеют определенной энергии ионизации. Это связано с очень малой эффективной массой носителей заряда в Г - минимуме зоны проводимости и большой орбитой электрона примесного атома. Однако из-за большого воровского радиуса примеси даже при малых концентрациях доноров образуется примесная зона, которая перекрывается дном зоны проводимости. В противоположность этому в AlSb наблюдается аномально высокая энергия ионизации доноров, равная 0 15 эВ для Se и 0 07 эВ для Те. Более сложным характером отличается поведение примесей элементов IV группы. Поскольку в этом случае при замещении атомов одной из двух подрешеток имеется избыток или недостаток лишь одного валентного электрона, то атомы примесей IV группы могут занимать как узлы Аш, так и Bv, проявляя при этом донор-ные и акцепторные свойства соответственно. Замещение должно сопровождаться наименьшей деформацией кристаллической решетки. Поэтому критерием донорного или акцепторного действия примесей может служить соответствие ковалентных радиусов замещающего и замещаемого атомов. [61]