Cтраница 3
Обычно скорость вытягивания кристалла составляет 0 1 - 2 мм / мин. Увеличение температуры приводит к сокращению фронта кристаллизации и уменьшению диаметра растущего кристалла, вплоть до полного отрыва его от расплава, а уменьшение температуры - к увеличению диаметра монокристалла и скорости выращивания. Однако при высокой скорости выращивания кристалла увеличивается количество захваченных примесей. [31]
Более часто соосаждение обусловлено адсорбцией радиоактивных элементов на поверхности осадков и окклюзией. В этом случае количество соосадившейся микропримеси зависит от величины и природы поверхности осадка. Особенно сильно адсорбируют микропримеси аморфные осадки; адсорбционная способность кристаллических осадков много меньше. Поэтому перекристаллизация осадков часто способствует удалению адсорбированных или захваченных примесей. Уменьшить адсорбцию можно, проводя осаждение из относительно разбавленного раствора или подобрав соответствующий рН среды. [32]
Захваченное вещество находится на поверхности осадка. Это наблюдается в тех случаях, когда соосаждение обусловлено поверхностной адсорбцией. Адсорбированные ионы могут удерживаться очень прочно; иногда они не удаляются при промывании водой. Для этого вида соосаждения часто характерна возможность ионного обмена между электролитами, находящимися в растворе, и поглощенными веществами. Путем ионного обмена во многих случаях возможно удаление захваченных примесей. [33]
Для отделения урана от плутония последний окисляют до четырехвалентного при помощи 0 02 М раствора KJ. После выдерживания в течение 20 мин. Экстракцию Pu ( IV) проводят 0 1 М раствором ТТА в бензоле. Уран остается в водной фазе. Из органической фазы плутоний реэк-страгируют 5 М раствором НС1 или же 0 5 М раствором НС1, содержащим 0 2 М солянокислого гидроксиламина. Последнее обеспечивает дополнительную очистку плутония от нептуния и других захваченных примесей, оставшихся в органической фазе. Недостаток этого способа заключается в медленном протекании реакции восстановления. [34]
Трудность заключается в том, что данных о С1 ( Ист. К тому же адсорбция и хемосорбция примесей на растущей поверхности кристалла создают дополнительные трудности. Например, считают, что несколько неодинаковый захват примесей различными гранями даже при низких скоростях обусловлен разной концентрацией адсорбированных примесей на этих гранях. Холл [6] предположил, что кристалл растет в результате быстрого распространения моноатомных слоев, захватывающих атомы адсорбированной примеси, которым неизбежно приходится диффундировать обратно к новой поверхности раздела. Согласно этой точке зрения, для достижения истинного равновесия требуются столь низкие скорости, чтобы диффузия в твердой фазе успевала выравнивать в ней концентрационные градиенты. Чернов [7] провел более строгий анализ движения ступени и захвата примеси, рассмотрев диффузию захваченной примеси через новый слой как в жидкость, так и в твердую фазу. [35]
Здесь роль триодов, диодов, резисторов, конденсаторов и других элементов выполняют отдельные области в полупроводнике - имеющие такие же свойства и характеристики, как и указанные детали. Для интегральных схем используют в основном кремний. Диск диаметром примерно 25 и толщиной до 0 25 мм, разрезают на отдельные пластинки, которые шлифуют, полируют, обезжиривают, травят, промывают и высушивают. Основными процессами создания п - или р-области являются маскирование, травление, диффузия и эпитаксиалыюе выращивание. Ряд дополнительных процессов необходим для создания изолирующих прослоек между формируемыми областями. Маскирование кремния осуществляют термическим окислением его поверхности в атмосфере кислорода или водяного пара; при высокой температуре образуется слой двуокиси кремния толщиной в несколько десятков микрон. Такой слой в достаточной мере непроницаем для основных акцепторных и донорных примесей, вводимых диффузией. Затем фотохимическим методом на слое SiO2 образуют кислотоупорную маску. Путем травления плавиковой кислотой удаляют участки слоя SiO2, не защищенные маской, после чего маску растворяют. Через образованные окна осуществляется введение примесей в кремний. Диффузия легирующих примесей, в качестве которых используют в основном бор ( акцептор) и фосфор ( донор), производится из газовой фазы в потоке газа - носителя при температуре 1200 - W 1300 С; примеси относительно быстро диффундируют при этой - температуре через окна в слое двуокиси кремния и не пропускаются им на других участках. После этого осуществляется дополнительно диффузия ранее захваченной примеси под слоем SiO2 и происходит выравнивание ее концентрации. Наличие защитной пленки SiO2 позволяет проводить диффузию на втором этапе длительно без ухудшения состояния поверхности кремния. В дальнейшем - чередуя эти процессы, получают тонкие p - n - p - переходы. Этим методом удается получить топкие диффузионные слои порядка 0 25 мкм и более. [36]