Донорная акцепторная примесь
Cтраница 1
Донорные и акцепторные примеси, необходимые для создания р-га-перехода, определяют не только величину и тип проводимости, но и участвуют также в самом процессе излучательной рекомбинации. [1]
Донорные и акцепторные примеси вызывают возникновение соответственно отрицательных ( электронов) и положительных ( дырок) носителей заряда. Если в кристалле преобладают донорные или акцепторные примеси, значение п в уравнении ( 10) соответствует суммарной концентрации электрически активных примесей. Но если донорные и акцепторные примеси присутствуют примерно в одинаковых количествах, они взаимно компенсируются и значение п может быть намного меньше суммарного количества примесей. Однако и в этих случаях возможно определение суммарного количества донор-ных и акцепторных примесей путем измерения подвижности зарядов, обусловливающих эффект Холла. Этот параметр измеряется благодаря рассеянию носителей заряда на донорных и акцепторных элементах. [2]
Все донорные и акцепторные примеси элементов третьей и пятой групп могут быть сравнительно легко удалены зонным плавлением, в том числе и фосфор, и алюминий. [3]
Все донорные и акцепторные примеси элементов - третьей и пятой групп могут быть сравнительно легко удалены зонным плавлением, в том числе и фосфор, и алюминий. [4]
 |
Распределение концентрации примеси в кристалле транзистора, полученного мето дом двойной диффузии. [5] |
Атомы донорных и акцепторных примесей имеют свойство, которое широко используется для получения дрейфовых транзисторов методом двойной диффузии. Акцепторные примеси, относящиеся к III группе таблицы Менделеева, диффундируют в кремний в несколько раз быстрее, чем донорные, относящиеся к V группе. Поверхностную концентрацию донорных атомов удается получить значительно большую, чем акцепторных. [6]
 |
Структура ковалентных связей в решетке четырехвалентных атомов ( алмаз, германий, кремний и др. с примесями III группы ( In и V группы ( AS. [7] |
Когда есть донорные и акцепторные примеси, то полупроводник об л адает смешанной проводимостью. Каждый полупроводник в определенном температурном интервале обладает за счет ионизации примесей только примесной проводимостью. [8]
Расчеты концентраций донорных и акцепторных примесей проведены Водаковым Ю. А. ( ИПАН СССР), которому авторы выражают глубокую благодарность. [9]
Соответствующее число фиксированных донорных и акцепторных примесей остается при этом нескомпенсированным, поддерживая приложенное напряжение. [10]
Что называется донорными, акцепторными примесями. [11]
Фронты распределения концентрации донорных и акцепторных примесей довольно крутые, поэтому, пренебрегая ввиду их малости толщинами р - п - и / г-п - переходов, толщину перехода можно рассматривать как толщину wi i-области. [12]
При равной концентрации донорных и акцепторных примесей в кристалле электропроводность обеспечивается ( как и в чистом полупроводниковом материале) электронами и дырками вследствие разрыва валентных связей. Такие полупроводниковые материалы являются компенсированными. [13]
При некотором распределении донорных и акцепторных примесей в монокристалле полупроводника возникают электронно-дырочные переходы, свойства которых зависят от характера самого распределения. Управляя расположением и геометрией переходов, а также градиентом концентрации примесей в них, можно изготовить полупроводниковые приборы с теми или иными электрическими параметрами. [14]
При равной концентрации донорных и акцепторных примесей в кристалле электропроводность обеспечивается ( как и в чистом полупроводниковом материале) электронами и дырками вследствие разрыва валентных связей. Такие полупроводниковые материалы являются компенсированными. [15]
Страницы: 1 2 3 4