Донорная акцепторная примесь
Cтраница 3
Если в полупроводник одновременно вводятся и донорные и акцепторные примеси, то характер проводимости ( ее га - или р-тип) определяется примесью с более высокой концентрацией носителей тока - электронов или дырок. При любом типе электропроводности полупроводника концентрация носителей тока в нем значительно меньше, чем в металлах. Но величина этой концентрации, как и энергия носителей тока в полупроводниках, в отличие от металлов, зависит весьма сильно от температуры. При нагревании число носителей тока резко возрастает. [31]
Если в полупроводнике одновременно присутствуют и донорные и акцепторные примеси, то в состоянии равновесия доноры отдают свои электроны акцепторам. В таком полупроводнике с компенсированными примесями тип проводимости зависит от того, каких примесей больше: донорных или акцепторных. Вычисление же концентрации примесей по эффекту Холла дает лишь разность концентраций доноров и акцепторов, которая может быть меньше сум - - марного содержания примесей всех сортов. [32]
 |
Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. [33] |
Расширению запирающего слоя препятствуют неподвижные ионы донорных и акцепторных примесей, которые образуют на границе полупроводников двойной электрический слой. Возникшая разность потенциалов создает в запирающем слое электрическое поле, препятствующее как переходу электронов из полупроводника п-типа в полупроводник р-типа, так и переходу дырок в полупроводник n - типа. В то же время электроны могут свободно двигаться из полупроводника р-типа в полупроводник n - типа, точно так же как дырки из полупроводника n - типа в полупроводник р-типа. Таким образом, контактная разность потенциалов препятствует движению основных носителей заряда и не препятствует движению неосновных носителей заряда. Однако при движении через p - n - переход неосновных носителей ( так называемый дрейфовый ток / др) происходит снижение контактной разности потенциалов фк, что позволяет некоторой части основных носителей, обладающих достаточной энергией, преодолеть потенциальный барьер, обусловленный контактной разностью потенциалов фк. [34]
Если в полупроводнике содержится равное количество донорных и акцепторных примесей, то такие примеси будут взаимно компенсировать друг друга. Донорные электроны будут занимать акцепторные уровни, и концентрация носителей заряда будет мало отличаться от концентрации носителей в собственном полупроводнике. В то же время подвижность носителей может оказаться в значительной степени сниженной за счет содержания большого количества примесей. Такой полупроводник называется компенсированным. [35]
Собственный полупроводник - это полупроводник без донорных и акцепторных примесей или с концентрацией примеси настолько малой, что она не оказывает существенного влияния на удельную проводимость полупроводника. В собственном полупроводнике при температуре абсолютного нуля отсутствуют носители заряда, так как валентнаа зона полностью занята электронами ( там нет дырок), а в зоне проводимости нет электронов. [36]
Собственный полупроводник - это полупроводник без донорных и акцепторных примесей или с концентрацией примеси настолько малой, что она не оказывает существенного влияния на удельную проводимость полупроводника. В собственном полупроводнике при температуре абсолютного нуля отсутствуют носители заряда, так как валентная зона полностью занята электронами ( там нет дырок), а в зоне проводимости нет электронов. [37]
 |
Применение стабилитрона для стабилизации. [38] |
Монокристалл кремния стабилитрона имеет повышенное содержание донорных и акцепторных примесей. Благодаря этому при определенном значении обратного напряжения, приложенного к стабилитрону, происходит лавинообразное нарастание обратного тока. [39]
Расширению запирающего слоя препятствуют неподвижные ионы донорных и акцепторных примесей, которые образуют на границе полупроводников двойной электрический слой. [40]
Собственный полупроводник - это полупроводник без донорных и акцепторных примесей или с концентрацией примеси настолько малой, что она не оказывает существенного влияния на удельную проводимость полупроводника. В собственном полупроводнике при температуре абсолютного нуля отсутствуют носители заряда, так как валентная зона полностью занята электронами ( там нет дырок), а в зоне проводимости нет электронов. [41]
Сравнение численных значений микротвердости германия; легированного донорными и акцепторными примесями, свидетельствует о большей твердости германия, легированного сурьмой, чем легированного мышьяком, и германия, легированного индием, чем легированного галлием. [43]
Зонная теория твердого тела наглядно объясняет и роль донорных и акцепторных примесей в полупроводниках. Если же мы имеем полупроводник с донорной примесью или я-полупроводник ( рис. 1 - 26 6) то благодаря наличию уровней донорной примеси, находящихся на сравнительно небольшом расстоянии AWi ( примерно 2 - 20 фДж) от нижнего края свободной зоны, электроны примеси могут переходить в свободную зону под действием сравнительно незначительных внешних энергетических воздействий; это объясняет высокую проводимость полупроводника с я примесью по сравнению с собственным полупроводником. [44]
На рис. 9.10 представлены диаграммы растворимости в твердом германии донорных и акцепторных примесей в зависимости от температуры. [45]
Страницы: 1 2 3 4