Донорная акцепторная примесь

Cтраница 4

На рис. 519 и 520 граница между областями с донорными и акцепторными примесями резкая. [46]

Пусть база диода представляет собой компенсированный полупроводник, легированный донорными и акцепторными примесями. В качестве донорной взята примесь, образующая - мелкозалегающие энергетические уровни в запрещенной зоне полупроводника. При использовании германия это может быть, например, сурьма или висмут. В качестве акцепторной примеси рассмотрим золото, образующее в запрещенной зоне германия глубокие акцепторные уровни. [47]

Компенсированным называют полупроводник, в который в равных количествах введены донорные и акцепторные примеси. [48]

Кинетические уравнения сильно усложняются для полупроводников, в которых имеются донорные и акцепторные примеси разных сортов и кроме свободных экситонов образуются связанные экситоны различных типов. В таких случаях, исходя из конкретной постановки задачи, необходимо с самого начала приравнять нулю вероятности процессов, которыми можно хотя бы в первом приближении пренебречь. Это значительно упрощает все расчеты. [49]

Строго говоря, таким образом определяют разницу между количествами присутствующих донорных и акцепторных примесей. Ибо при одновременном наличии акцепторов и доноров в уравнении нейтральности проявляется именно разность между их концентрациями. [50]

Зависимость среднего значения проекции пробега Rp ( а и среднего нормального отклонения проекции пробега ДЛР ( б в SiC от энергии для различных ионов / - Be. 2 - В. 3 - N. 4 - AI. 5 - Р.| Предельные концентрации примесей в кристаллах карбида кремния, легированных в процессе роста. [51]

В настоящее время ионное легирование карбида кремния осуществляется почти всеми важнейшими донорными и акцепторными примесями. На рис. 19.26 изображена - распределение длин пробегов различных ионов в монокристаллах карбида кремния. [52]

Отражательная способность германия р-типа, сильно легированного галлием. [53]

Казалось бы, что это обстоятельство должно определять разное влияние легирования донорными и акцепторными примесями на минимальную энергию этого перехода. [54]

Диффузионный метод изготовления транзисторов и его разновидности основаны на различии скоростей диффузии донорных и акцепторных примесей в исходный кристалл полупроводника. [55]

Согласно предложению авторов этой статьи вначале в кремний вплавляется электродный сплав, содержащий донорные и акцепторные примеси, а затем проводится охлаждение и электродный сплав удаляется ( стравливается) с кристалла. После этого кристалл нагревается вновь до 1200 С и из рекристаллизованного слоя проводится диффузия, в результате которой образуется транзисторная структура. [56]

Страницы: 1 2 3 4