Введенная примесь
Cтраница 1
Введенная примесь образует локальный энергетический уровень, расположенный на зонной диаграмме в запрещенной зоне. Этот уровень лежит вблизи дна зоны проводимости, так как для отрыва неспаренного электрона требуется энергия, значительно меньшая ширины запрещенной зоны. На рис. 4.5 и 4.6 во второй и четвертой строках должны быть связи между атомами Si. Кроме того, часть электронов попадает в зону проводимости из валентной зоны, образуя там дырки. Концентрация электронов в зоне проводимости намного превышает концентрацию дырок в валентной зоне. В этом случае электроны называют основными носителями заряда, дырки - неосновными. Примеси, отдающие при возбуждении свои электроны в зону проводимости, называют донорами. Полупроводники сдопорпой примесью обладают электронной электропроводностью, и их называют полупроводниками п-типа. [1]
 |
Профили распределения электрически активных атомов бора в результате ионного легирования при различных энергиях ионного пучка. [2] |
Количество введенной примеси определяется дозой облучения Q Jt Кл / см2 или Q Jt / q ион / см2, где / - плотность тока ионного пучка ( выбирается в пределах Ю-7-Ю-4 А / см2); / - время облучения. [3]
Концентрация введенных примесей ( доноров N ( х) на рис. 2.4) максимальна у поверхности и спадает по направлению в глубь пластины. Расстояние х0, на котором она равна концентрации исходной примеси ( акцепторов Na на рис. 2.4), называют толщиной диффузионного слоя. Если вводится примесь противоположного по отношению к подложке типа, то ха соответствует металлургической границе образующегося р-п перехода. [4]
Количество введенной примеси может быть слишком мало, чтобы сказаться на термических параметрах в выражении ( 1) Франк-Каменецкого, но все же оно заметно влияет на термическое разложение и на длительность индукционного периода разложения нагреваемого образца. Это объясняется тем, что примеси располагаются у дефектов решетки, которые в дальнейшем играют роль центров разложения. [5]
 |
Профили распределения электрически активных атомов бора в результате ионного легирования при различных энергиях ионного пучка. [6] |
Количество введенной примеси определяется дозой облучения Q Jt Кл / см2 или Q Jt / q ион / см2, где / - плотность тока ионного пучка ( выбирается в пределах Ю-7-Ю-4 А / см2); / - время облучения. [7]
 |
Исследование четырехвалентного марганца в окиси алюминия при содержании. [8] |
Помимо введенных примесей, были изучены также и остаточные примеси. [9]
С увеличением числа введенных примесей растет число локальных нарушений решетки, а вместе с ним растет и число столкновений электронов в единицу времени - интенсивность рассеяния возрастает. [10]
 |
Зависимость относительного выхода. [11] |
Резонансный характер тушения введенной примесью во многих случаях может быть доказан существованием тушения в твердых растворах, где возможность сближения возбужденных уранилоных молекул с молекулами тушителя исключена. [12]
В зависимости от доли введенной примеси удельная проводимость примесного полупроводника возрастает по сравнению с чистым полупроводником в десятки и сотни тысяч раз. [13]
 |
Схематическое распределение диффундирующей примеси для различного времени диффузии.| Схематическое распределение концентрации примесей в диффузионном р-п перехэде. [14] |
На глубине, где концентрация введенной примеси равна концентрации примеси в исходном материале, образуется р - п переход. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5