Введенная примесь

Cтраница 4

В этом случае [67, 68] введение примесей не будет влиять на положение уровня Ферми, а следовательно, и каталитическая активность должна слабо зависеть от количества и характера введенной примеси и предыстории образца катализатора. [46]

В результате авторы пришли к выводу, что поляризация при низких плотностях тока объясняется замедленной диффузией, а при больших плотностях тока - замедленностью разряда и медленной десорбцией введенных примесей с катода. [47]

Однако при температурах промышленного катализа полупроводниковые катализаторы часто находятся в области собственной проводимости и проявляют ряд характерных свойств: 1) слабую зависимость каталитической активности от количества и характера введенной примеси; 2) связь каталитических свойств, в первую очередь, с энергетическими уровнями валентных электронов атома и размерами ионов, а через них с положением элементов, образующих катализатор, в периодической системе Д. И. Менделеева; 3) связь каталитических свойств с шириной запрещенной зоны полупроводника; 4) большие значения предэкспоненциального множителя; 5) сглаживание различий между п - и р-полупроводниками. [48]

Так, если для примеси кальция отмывка идет успешно от нескольких процентов до 2 6 - 7 5 - 10 - 2 %), но неполно, то отмывка от введенной примеси практически полная. В предыдущем сообщении показано, что процесс отмывки от собственных примесей чрезвычайно медленный и обусловлен замедленными кинетическими свойствами углей. В настоящей работе найдено, что отмывка от нанесенных примесей кальция происходит очень быстро, хотя экспозиция при адсорбции примеси хлорида кальция на поверхность угля составляла от нескольких суток до семи месяцев. По-видимому, различие заключается в том, что при отмывке собственных примесей основное сопротивление массообмену составляет диффузия растворителя в микропоры и обратный процесс диффузии из микропор к поверхности зерна угля. Отмеченная нами разница в вымывании собственных и внесенных примесей указывает на то, что изотопный обмен между внесенным Ме С1л и собственной примесью если и происходит, то чрезвычайно медленно. [49]

Действительно, если принять, что различие в энергиях образования донорных и акцепторных дефектов достаточно мало, то выигрыш энергии в результате образования дефектов и захвата ими соответствующих носителей тока от введенных примесей будет определяться только расстоянием между соответствующими уровнями примеси и дефекта, которое оказывается большим при введении доноров в первом случае и акцепторов во втором. [50]

Если в окисляемое вещество ввести примесь, молекулы которой значительно легче реагируют с радикалами R, образуемыми окисляемым веществом, чем молекулы кислорода или молекулы окисляемого вещества, то радикалы начнут реагировать с введенной примесью. [51]

При введении в исходные растворы фосфорной кислоты гид-роксидов алюминия и железа значительные количества водо-нерастворимых фосфатных соединений появляются в гипсе лишь при концентрации жидкой фазы около 15 % Р2О5 ( см. табл. 7): от 2 2 до 8 2 % в зависимости от вида введенной примеси и достигают небольшого значения при наличии в растворе 1 5 % оксида алюминия. При осаждении гипса в растворах концентрации 25 % Р2О5 переход фосфатов в твердую фазу незначителен. Необходимо отметить, что осаждение фосфатов алюминия и железа в твердую фазу при концентрации 15 % Р2О5 лишь отчасти объясняет наличие больших количеств водонерастворимого Р2О5 в гипсе. Например, при введении гидроксида алюминия в осадке обнаружено 0 7 % ( абс. [52]

Схема, иллюстрирующая процесс. [53]

Такое предположение является весьма правдоподобным, так как оно в сущности означает, что энергия активации тех донориых уровней, которые создаются атомами, попавшими в междоузлия, и тех акцепторных уровней, которые создаются пустыми узлами решетки, значительно превышает ту энергию активации, которую имеют химически введенные примеси, располагающиеся обычно в узлах решетки. Термическое возбужденно доноров и акцепторов, находящихся в середине широкой запретной зоны кремния, является при комнатной температуре неэффективным, но захват электронов из зоны проводимости, который производят эти акцепторы, и рекомбинация дырок валентной зоны, которую производят эти доноры в n - кремнии, одинаково ведут к уменьшению концентрации носителей тока и к росту удельного сопротивления. [54]

По другой концепции, развиваемой Л. М. Шамовским и его сотрудниками [258, 287, 288, 333, 334, 355, 356], кристаллофосфор имеет микрогетерогенную структуру и в процессах поглощения и люминесценции проявляется только та часть активатора, которая расположена на контактных поверхностях внутренней структуры; ионы активатора, расположенные в узлах решетки, хотя и представляют подавляющую часть введенной примеси, никакой роли в указанных процессах не играют. [55]

В кристаллах КВг - Ni, выращенных из расплавов, в которые активатор добавлялся в виде окиси никеля, легко наблюдается также совершенно другой вид центров, для которых характерны неравномерное распределение, иной спектр поглощения ( возбуждения) и очень яркое свечение, хотя они, по-видимому, составляют лишь малую долю введенной примеси. В указанных кристаллах, подвергнутых облучению рентгеновыми лучами, все перечисленные выше центры существуют одновременно, при этом места несднород-ностей флуоресцируют зеленым, а прозрачные места кристалла оранжево-красным светом. [56]

В начале работы по анализу очень малых образцов эталонирование приходилось проводить по методу добавок: после испарения примесей из пробы ( обычно весом 1 - 2 мг) в эту же пробу, находившуюся в стаканчике из графита, вводился азотнокислый раствор, содержащий примеси в наименьшей концентрации ( 10 - 5 - 10 - 4 %); проба высушивалась, прокаливалась до разложения нитратов и затем проводилось испарение введенных примесей. [57]

Такая структура создается диффузией в исходный монокристалл л-кремния / ( представляющего собой диск диаметром 20 - 25 мм и толщиной примерно равной 0 4 мм) примесных атомов алюминия и бора со стороны двух его оснований на глубину, примерно равную 60 - 80 мк. Введенные примеси образуют рг и р2 - слои в тиристоре. Промежуточные nt - и р2 - слои представляют собой толстую и тонкую базы тиристора. Силовая цепь присоединяется к основным электродам тиристора: аноду и катоду. Положительный полюс цепи управления присоединяется через внешний электрод ЭУ к слою ра а отрицательный полюс - к катодному выводу. [58]

Электропроводность полупроводников можно значительно увеличить вводом весьма ничтожных количеств посторонних примесей. Атомы введенных примесей могут, не нарушая структуры кристаллической решетки германия, внедряться в ее узлы вместо отдельных атомов германия. При этом, если число внешних электронов у атомов примеси не равно числу их у атомов германия, то либо остаются лишние электроны, либо образуются дополнительные дырки, чем объясняется как увеличение проводимости, так и преобладание того или иного типа проводимости. [59]

Изменения р и п в зависимости от ps2 показаны на фиг. Когда концентрация введенных примесей [ Bi ] мала, область, где rc [ Bi ], отсутствует. Видно также, что только при наличии этой области введение висмута приводит к росту числа доноров. Когда [ Bi ] [ Fch добавка висмута вызывает только увеличение числа катионных вакансий. Блем [137] исследовал эти уравнения для самых разнообразных условий. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5