Введенная примесь

Cтраница 2

Перемешивание расплава содействует равномерному распределению введенных примесей по всему объему германия. Это необходимо для точного определения числа атомов примеси, которое нужно добавить, чтобы получить монокристалл германия с желательным сопротивлением и однородными свойствами. [16]

Плоская кристаллическая решетка германия с введенной в него донор ной примесью - фосфором.| Схема движения элек тронов и дырок в полупроводнике с донорной примесью. [17]

Четыре электрона каждого из атомов введенной примеси устанавливают четыре ковалентные ( парные) связи с соответствующими атомами основного полупроводника; пятый электрон остается без такой связи. [18]

Механические испытания алюминиевых сплавов со специально введенными примесями, имитирующими загрязнение матрицы во время пропитки, показали, что наличие примесей приводит к резкому падению прочности и пластичности этих сплавов. [19]

Микрофотография кристалла КВг - - Ni, выращенного из расплава КВг Ni. 2O3. [20]

Этими центрами, составляющими подавляющую часть введенной примеси, являются равномерно распределенные в кристалле ионы Ni, замещающие катионы основного вещества в узлах решетки. [21]

Влияние различных примесей на поверхностное натяжение жидкого селена. [22]

Как видно из наших результатов, все введенные примеси оказались поверхностно инактивными на жидком селене. [23]

Спектральная зависимость коэффициента поглощения ( Ь собственной ( I и примесной ( II фотопроводимостей. [24]

В случае примесной фотопроводимости длинноволновая граница определяется типом введенной примеси. Так, например, для примесного германия ЯГр в зависимости от типа примеси может изменяться от 40 до 3 5 мкм. [25]

Вольтамперные характеристики диффузионных электролюминесцентных р-п переходов в кристаллах карбида кремния разных политипов. [26]

В зависимости от способа получения электронно-дырочного перехода, концентрации введенных примесей и других факторов электрические и оптические характеристики излучающих диодов значительно отличаются друг от друга. Величина пропускаемого через диод тока и яркость свечения ограничиваются нагревом диода и, следовательно, зависят от условий теплоотвода. Абсолютная яркость при нескольких вольтах достигает значений до 100 нт. Для диодов с зеленым свечением при плотности тока 75 мА / см2 получена яркость 120 нт. [27]

Электропроводность полупроводника - типа.| Электропроводность полупроводника р-типа. [28]

В примесных полупроводниках концентрация основных носителей заряда определяется концентрацией введенной примеси. Процесс введения примеси в полупроводник называют легированием, а сами примеси - легирующими. [29]

Наличие уровней ловушек в красителе, даже в отсутствие специально введенной примеси, ясно показано в следующем эксперименте Вартаняна [4], Если слпй очень фотоэлектрочувствитель-ного красителя, кристаллического фиолетового, интенсивно освещать при - 190 С, то фототек не наблюдается. Но если такой слой начать подогревать в темноте, мы можем заметить начиная с - 80 С увеличивающуюся проводимость, которая растет с ростом температуры. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5