Химическая примесь
Cтраница 1
Химические примеси, введенные в диэлектрик, могут вызывать проводимость как первого, так и второго рода в зависимости от того, являются ли они поставщиками слектрона на свободные уровни или же вносят в кристалл уровни, на которых могут закрепиться электроны нормальных уровней. [1]
Химические примеси, введенные в диэлектрик, могут вызывать проводимость как первого, так и второго рода в зависимости от того, являются ли они поставщиками электрона на свободные уровни или же вносят в кристалл уровни, на которых могут закрепиться электроны нормальных уровней. [2]
Химические примеси ( например, толуол, особенно при облучении голубым светом) могут привести к образованию незаряженных капель, которые довольно быстро истощают пар и тем самым снижают чувствительность камеры. Этот эффект не устраняется приложением очищающего поля. Перед сборкой камеры такие растворители, как упомянутый толуол, должны быть удалены из клеев и красок, используемых в конструкции. [3]
Химические примеси оказывают следующее влияние на автоматический анализ: 1) усиливают коррозию металлов и разрушают детали приборов. Например, при определении содержания сернистого ангидрида на выходе из контактных аппаратов присутствующий в газовой смеси туман серной кислоты активно разрушает металлические детали и узлы коммуникаций измерительных установок. После очистки газовой смеси от тумана серной кислоты в электрофильтре образуются ионизированные примеси и озон, которые сравнительно быстро выводят из строя резиновые трубки и большинство деталей из пластмасс; 2) участвуют в реакциях, продукты которых изменяют физические и физико-химические свойства анализируемой среды; 3) изменяют физические и физико-химические свойства контролируемой среды. [4]
Химическая примесь может, однако, действовать как рассеивающий центр, потому что она искажает локальное электрическое поле. Если подвижность позитрона окажется значительно выше подвижности электрона, можно считать, что подвижность электрона определяется химической примесью. Такой вывод подкрепляется измерением температурной зависимости подвижности. Если подвижность позитрона меняется пропорционально Т -, где п 1, то можно считать, что он движется в зоне и подвержен лишь рассеянию на фононах. [6]
Некоторые нежелательные химические примеси служат причиной появления узкой полосы энергий внутри запрещенной зоны. На рис. 12.15 показана определенная энергетическая полоса и ее влияние на наблюдаемые статические характеристики, в особенности при низких температурах ( например, при 77 К), когда оно не маскируется термическими Эффектами. Примеси в запрещенной зультатом является вторичный зоне, приводящие к появлению вто-пик на участке отрицательного ричного участка с отрицательным сопротивления. [7]
Помимо химических примесей, условия роста кристалла часто создают в нем неоднородности, которые оказывают влияние на все его свойства. [8]
Помимо химических примесей, условия роста кристалла часто создают в нем неоднородности, которые оказывают влияние на все его свойства. Весь кристалл состоит как бы из мелких правильно построенных осколков, не вполне точно сложенных, представляя собой что-то вроде плохой мозаики. Травление и окраска часто обнаруживают мозаичную структуру в кристаллах, по внешнему виду совершенно однородных. [9]
Значение химических примесей и дефектов структуры твердых тел в качестве активных центров при их реакциях не вызывает сомнений. [10]
Наличие химических примесей в решетке германия может вызвать возникновение локальных энергетических уровней в запрещенном участке между валентной зоной и зоной проводимости. В этих случаях электрон и дырка рассматриваются как слабо связанные на большой водородоподобной орбите. Предполагается, что атомы названных элементов, входя в решетку, замещают нормальные атомы германия. Растворимости элементов III и V групп в германии сравнительно велики. [11]
Влияние химических примесей на свойства сложных полупроводников точно такое же, как и на элементарные полупроводники, хотя во многих материалах на количество носителей заряда оказывают влияние также и дефекты кристаллической решетки ( вакансии и междоузлия), возникающие вследствие неполной стехиометрии. Наблюдаются также изменения валентности, обусловленные присутствием примесей в кристалле. Так, одновалентный литий, содержащийся в NiO, приводит к образованию ионов трехвалентного никеля в равной концентрации; эти ионы трехвалентного никеля непосредственно определяют количество носителей тока, а следовательно, и проводимость. [12]
Роль химических примесей ясно показана в экспериментах на галогенидах серебра с замещающими ионами меди. Квантовый выход образования серебра был близок к единице даже в центре кристалла, а число атомов серебра, образующихся при насыщающем освещении, равно числу исходно имевшихся ионов меди. Спектры ЭПР показывают образование ионов меди одновременно с образованием атомов серебра. Примесные ионы меди, по-видимому, действуют как ловушки для дырок в объеме кристалла. Эта интерпретация подтверждается данными импульсного фотолиза. [13]
Концентрацию вредных химических примесей в зоне дыхания механизатора следует определять на машинах, при работе которых возможно загрязнение воздуха рабочей зоны механизатора вредными химическими примесями. [14]
К химическим примесям топлив относится сера. Сера является горючей примесью. Совсем иная картина наблюдается в переохлажденном двигателе. Сернистая кислота, образующаяся при конденсации влаги, легко окисляется до серной кислоты, которая сильно корродирует металлы. По этой причине стремятся снижать содержание серы в топливах. [15]
Страницы: 1 2 3 4