Cтраница 4
Реальный кристалл или зерно галогенида серебра может иметь химические примеси и физические дефекты. В случае эмульсий в фотохимических процессах может участвовать также желатин. [46]
![]() |
Схема системы канализации с местными очистными установками. [47] |
В термических и гальванических цехах сточные воды содержат химические примеси; растворы кислот, солей, щелочей, циан, хром. [48]
Интенсивность процесса атмосферной коррозии зависит от влажности и химических примесей в воздухе, состава металла, длительности пребывания его во влажной среде. Наличие на поверхности металла пыли ускоряет процесс коррозии. [49]
АХ представляет собой изменение поверхностных диполей, обусловленное химическими примесями, адсорбированными на поверхности и создающими поверхностные состояния. [50]
Различают механические примеси, взвешенные в воде, и химические примеси - растворенные в воде соли и газы. [51]
Столь же вредно действуют на сохранность основы и фотослоя различные химические примеси в окружающей среде. Вступая во взаимодействие с составными частями основы и фотослоя, химические примеси приводят к разрушению эмульсии и выцветанию изображения. [52]
Вода, поступающая в газоанализатор, не должна иметь механических и вредных химических примесей. С: давление воды должно поддерживаться постоянным; максимальное давление воды 3 0 ати; минимальное 0 6 ати. [53]
Выражение (2.80) справедливо даже тогда, когда полупроводник легирован химическими примесями. Последнее равенство является следствием того факта, что в собственном полупроводнике пр. Из ф-лы (2.80) видно, что произведение пр постоянно для данного материала при данной температуре. Отсюда следует, что если вдруг увеличилась концентрация электронов ( при данной температуре и для заданного материала), то для того, чтобы пр было постоянным, концентрация дырок должна уменьшиться. Физический смысл этого результата заключается в том, что при увеличении, например, концентрации электронов увеличивается вероятность рекомбинации электронов и дырок, что и учитывается уменьшением концентрации свободных дырок. [54]
Рассеяние электронов и соответствующее ему сопротивление, связанное с химическими примесями, конечно, всегда обусловлено нарушениями регулярности ионной решетки, но сами эти нарушения могут возникнуть различными путями. [55]