Химическая примесь

Cтраница 3

Загрязняющие образец примеси ( помимо обычных химических примесей) появляются и в ходе самой бомбардировки; в частности, при облучении на циклотроне, когда мишень для удобства охлаждения припаивается, напрессовывается или наносится на металлическую подложку методом электроосаждения, а также может быть завернута в металлическую фольгу, следует принимать во внимание продукты ядерных превращений в веществе контейнера, подложки, припоя и флюсов. [31]

Глубина синглетной экситонной ловушки EB t, пре. [32]

Появление глубоких ловушек связано с химическими примесями или образованием эксимеров. [33]

Поэтому парамагнитные центры связаны с неконтролируемыми химическими примесями в материале. [34]

Схема смесительного теплообменника ( градирни. [35]

Отработавший пар многих производств загрязнен механическими и агрессивными химическими примесями. Некоторые производственные агрегаты работают с переменной нагрузкой, что ведет к образованию прерывистых потоков отработавшего пара. Все это усложняет его использование и вызывает необходимость предварительной очистки пара от загрязнения, преобразования прерывистых потоков отработавшего пара в постоянный поток тепла, а также повышения давления отработавшего пара с помощью тепловых трансформаторов. [36]

Схема смесительного теплообменника ( градирни. / - насадка ( кольца Рашига. 2 - каплеотбойник. 3 - вытяжной вентилятор. [37]

Отработавший пар многих производств загрязнен механическими и агрессивными химическими примесями. [38]

В анализируемой среде находятся механические ж химические примеси. [39]

Схематически изображенные последовательные стадии процесса спекания. [40]

Это объяснение дает возможность понять роль различных химических примесей в процессе спекания. [41]

Водо-подготовка чаще всего заключается в удалении механических и нежелательных химических примесей, а также в освобождении воды от микроорганизмов. [42]

Необходимо иметь в виду, что источниками нежелательных химических примесей в РН-препаратах могут быть материал мишени, реагенты, а также продукты радиолитических процессов. [43]

Излучение У-центров существенно возрастало при легировании кристаллов химическими примесями, тогда как излучение А - центров в чистых кристаллах заметно зависело от способа их приготовления. Предполагается, что А - центры здесь обусловлены механическими дефектами. Плотность Аг-центра можно определить из температурной зависимости отношения интенсивностей фосфоресценции А - центра и экситонной фосфоресценции или отношения интенсивностей сигнала в оптическом детектировании магнитного резонанса ( ОДМР) А - центра и экситона. Излучение примесных молекул, таких, как тетрацен в антрацене, обсуждается в разд. [44]

Поскольку кристалл может быть в контакте с химическими примесями, которые могут захватывать носители, а также диффундировать внутрь кристалла через поверхностные дефекты, распределение ловушек в приповерхностной области обычно выше, чем в объеме кристалла. [45]

Страницы: 1 2 3 4