Присутствие - посторонний электролит
Cтраница 2
Коацерватные комплексы очень чувствительны к присутствию посторонних электролитов. [16]
Как уже упоминалось, в присутствии постороннего электролита восстанавливающиеся частицы поступают к капельному электроду только вследствие диффузии. [17]
Амперометрические определения проводятся всегда в присутствии постороннего электролита, который вводится для уменьшения миграционных токов. Электролиты, используемые в качестве фона при титровании, не должны давать электродной реакции при потенциале титрования и не должны вступать в химическую реакцию с реактивом. Концентрация фона обычно равна 1 - 0 1 моль / л, что в свою очередь значительно повышает ионную силу раствора. [18]
Как видно из последнего уравнения, присутствие постороннего электролита, не участвующего в данной электродной реакции ( часто называемого индифферентным электролитом), не влияет на плотность предельного тока восстановления неэлектролита. [19]
Ионное равновесие в растворах электролитов зависит от присутствия постороннего электролита и особенно в тех случаях, когда один из ионов является общим для обоих электролитов. [20]
 |
Зависимость предельной плотности тока диффузии iK от соотношения с с. [21] |
Общее уравнение для предельного тока диффузии в присутствии постороннего электролита будет дано в § 58 [ см. ур. [22]
Однако определять величину заряда часто приходится в присутствии посторонних электролитов, концентрация которых значительно превышает концентрацию исследуемого элемента. В таких случаях ионообменник необходимо предварительно насытить ионами постороннего электролита. В результате при поглощении исследуемого элемента Мг он вытесняет из ионита ионы постороннего электролита Mf1, концентрация которых уже до поглощения была значительной. Поэтому при определении величины заряда по соотношению ( 179) концентрация исследуемого элемента должна составлять не менее 10 % концентрации постороннего электролита в расчете на грамм-эквиваленты. [23]
Таким образом, приходится рассматривать поведение осадка в присутствии постороннего электролита. [24]
С другой стороны, осаждение обычно осуществляется в присутствии посторонних электролитов, не имеющих общих ионов с кристаллической решеткой осадка. [25]
Как влияют на полноту осаждения BaSCX температура раствора, количество осадителя, присутствие посторонних электролитов. [26]
Как влияют на полноту осаждения BaSC4 температура раствора, количество осадителя, присутствие посторонних электролитов. [27]
Сорбционная способность геля кремневой кислоты по отношению к германию не снижается в присутствии посторонних электролитов. Соляной кислотой сорбированный германий из этих гелей, прокаленных при 600 - 800 С, количественно не отгоняется. [28]
Сорбционная способность геля кремневой кислоты по отношению к германию не снижается в присутствии посторонних электролитов. Соляной кислотой сорбированный герма-кий из этих гелей, прокаленных при 600 - 800 С, количественно не отгоняется. [29]
Цель работы состоит в исследовании влияния плотности тока, концентрации разряжающихся ионов и присутствия посторонних электролитов на скорость возникновения кристаллических зародышей и рост кристаллов. [30]
Страницы: 1 2 3 4